温度对SiC MOSFET电流和电压变化率影响分析

• 作者: 廖兴林 曾正 李辉 王坤 胡姚刚 黄樟坚
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOSFET 温度 漏极电流 漏源极电压
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 页码范围: 2368-2375
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 语种: 中文

摘要

由于SiC MOSFET的半导体物理和器件内部参数会随着温度的变化而发生变化,导致温度变化也会影响SiC MOSFET的动态特性.该文以其漏极电流变化率dID/dt、漏源极电压变化率dVDS/dt这2个动态性能参数为例,重点从实验的角度分析其随温度变化的规律.首先,搭建基于电感钳位双脉冲的SiC MOSFET动态特性测试电路,测试不同温度下漏极电流和漏源极电压,得到温度对其的影响规律;其次,基于器件物理方程建立SiC MOSFET漏极电流变化率dID/dt、漏源极电压变化率dVDS/dt的温度特性解析模型,且通过实验测试得到SiC MOSFET的阈值电压VTH、跨导gm的温度特性;最后,根据所建立的SiC MOSFET dID/dt、dVDS/dt温度特性解析模型及其VTH、gm的温度特性从理论上对实验所得结果进行定性解释.所得结果对SiC MOSFET器件选型、建立准确的器件模型及实际系统的设计具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉		109	2093	26.0	42.0
2	曾正		22	78	6.0	8.0
3	胡姚刚		11	222	7.0	11.0
4	王坤		8	7	2.0	2.0
5	廖兴林		5	0	0.0	0.0
6	黄樟坚		4	12	2.0	3.0