基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
针对高能粒子入射半导体材料引发的辐射效应,从实验平台的设计对地面辐射试验进行了研究.通过对单粒子翻转效应的分析,制定评估方式.实验平台通过建立数据采集系统、数据分析系统,测试4种SRAM型的FPGA芯片在不同强度的中子辐照产生的影响.通过辐照试验,验证了试验方法、试验系统的有效性和可靠性.实验结果表明,在高强度的辐照下,单粒子翻转效应显著增多,需要采取防护措施及时修正,对FPGA芯片的使用及选型具有参考价值.
推荐文章
SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟
中子
单粒子翻转
Gcant4
特征尺寸
临界电荷
中子单粒子效应研究现状及进展
中子辐照效应
中子单粒子效应
随机静态存储器
低能中子
基于协同进化的航空高度单粒子翻转故障生成方法研究
协同进化
航空高度
翻转故障
单粒子效应
中子通量
故障生成方法
大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究
单粒子效应
大容量SRAM
抗辐射加固
Bulk CMOS工艺
SOI CMOS工艺
重离子射程
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 关于中子辐射的单粒子翻转效应测试与加固研究
来源期刊 电子器件 学科 航空航天
关键词 单粒子效应 地面辐射实验 实验平台 加固技术
年,卷(期) 2019,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1367-1370
页数 4页 分类号 V11
字数 2724字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.06.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孟令军 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室 74 438 11.0 17.0
2 张敏 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室 21 101 4.0 10.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (58)
共引文献  (35)
参考文献  (14)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1980(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1990(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1998(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1999(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2002(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2003(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2005(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2007(8)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(8)
2008(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2009(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2010(7)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(6)
2011(8)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(6)
2012(7)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(6)
2013(8)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(7)
2014(5)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(2)
2015(8)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(7)
2016(4)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(1)
2017(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2019(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
地面辐射实验
实验平台
加固技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导