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摘要:
针对高能粒子入射半导体材料引发的辐射效应,从实验平台的设计对地面辐射试验进行了研究.通过对单粒子翻转效应的分析,制定评估方式.实验平台通过建立数据采集系统、数据分析系统,测试4种SRAM型的FPGA芯片在不同强度的中子辐照产生的影响.通过辐照试验,验证了试验方法、试验系统的有效性和可靠性.实验结果表明,在高强度的辐照下,单粒子翻转效应显著增多,需要采取防护措施及时修正,对FPGA芯片的使用及选型具有参考价值.
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文献信息
篇名 关于中子辐射的单粒子翻转效应测试与加固研究
来源期刊 电子器件 学科 航空航天
关键词 单粒子效应 地面辐射实验 实验平台 加固技术
年,卷(期) 2019,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1367-1370
页数 4页 分类号 V11
字数 2724字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.06.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孟令军 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室 74 438 11.0 17.0
2 张敏 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室 21 101 4.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
地面辐射实验
实验平台
加固技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
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