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高功率脉冲磁控溅射制备的TiN薄膜 应力释放及其结合稳定性研究
高功率脉冲磁控溅射制备的TiN薄膜 应力释放及其结合稳定性研究
作者:
冷永祥
唐鑫
陈畅子
马东林
黄楠
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
高功率磁控溅射
氮化钛薄膜
薄膜应力
膜基结合力
自然时效
摘要:
目的 探究高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)制备的氮化钛(TiN)薄膜在自然时效过程中,应力、薄膜/基体结合性能随时间的变化规律.方法 采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,通过调控基体偏压(–50、–150 V),制备出具有不同残余压应力(3.18、7.46 GPa)的TiN薄膜,并采用基片曲率法、X射线衍射法、划痕法和超显微硬度计评价了薄膜的应力、薄膜/基体结合性能、硬度随时间的变化规律.结果 在沉积完成后1 h内,–50 V和–150 V基体偏压下制备的TiN薄膜压应力分别在3.12~3.39 GPa和7.40~7.55 GPa范围内波动,薄膜压应力没有发生明显变化;沉积完成后1~7天,平均每天分别下降28.57 MPa和35.71 MPa;7~30天,平均每天分别下降2.08 MPa和2.50 MPa;30~60天内,平均每天分别下降1.67 MPa和7.00 MPa.其压应力连续下降,且均表现出前期下降速率快,后期下降逐渐放缓的趋势.自然放置60天后,应力基本释放完毕,薄膜性质基本保持稳定.同时,薄膜/基体结合性能随时间逐渐变差,薄膜硬度下降.结论 HPPMS制备的TiN薄膜在自然时效过程中,其残余应力会随时间增加,连续下降,进而影响薄膜的力学性能.
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篇名
高功率脉冲磁控溅射制备的TiN薄膜 应力释放及其结合稳定性研究
来源期刊
表面技术
学科
工学
关键词
高功率磁控溅射
氮化钛薄膜
薄膜应力
膜基结合力
自然时效
年,卷(期)
2019,(9)
所属期刊栏目
膜层材料与技术
研究方向
页码范围
245-251
页数
7页
分类号
TG174.4
字数
3590字
语种
中文
DOI
10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.09.028
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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1
黄楠
西南交通大学材料科学与工程学院
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冷永祥
西南交通大学材料科学与工程学院
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唐鑫
西南交通大学材料科学与工程学院
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西南交通大学材料科学与工程学院
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高功率磁控溅射
氮化钛薄膜
薄膜应力
膜基结合力
自然时效
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
主办单位:
中国兵器工业第五九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-3660
CN:
50-1083/TG
开本:
16开
出版地:
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
邮发代号:
78-31
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
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