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摘要:
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化的主要因素。现有很多方法缓解电路的NBTI点,如何避免每种方法的缺点而尽可能地发挥其最大的优势成为研究的重点。
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多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应
负偏置温度不稳定性
电路老化
关键门
时延约束
影响因数
门替换
多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应
负偏置温度不稳定性
电路老化
关键门
时延约束
影响因数
门替换
基于循环向量协同优化电路的NBTI效应和泄漏功耗
模型电路可靠性
老化效应
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部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究
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PDSOI
快速测试方法
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寿命预测
可靠性
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 缓解由NBTI效应引起的电路老化研究
来源期刊 电脑知识与技术:学术版 学科 工学
关键词 NBTI效应 电路老化 门替换 输入向量控制
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 263-264
页数 2页 分类号 TN407
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王威猛 安徽理工大学计算机科学与工程学院 2 0 0.0 0.0
传播情况
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2019(0)
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研究主题发展历程
节点文献
NBTI效应
电路老化
门替换
输入向量控制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑知识与技术:学术版
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
安徽合肥市濉溪路333号
26-188
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