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摘要:
设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源.基准源电路基于110 nm的CMOS标准工艺实现,使用Cadence软件进行仿真.仿真表明,在室温下,电源电压为3.3 V时,输出基准电压为1.2 V;在-40℃~85℃范围内温度漂移系数为33 ppm/℃;电路启动时间为0.5μs;电源电压抑制比在低频时达到-61 dB;功耗为0.967 mW;版图面积为50μm×180μm.该电路结构简单,易于集成,可应用于高速、高精确度的数模转换器(DAC).
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种结构简单的高精确度带隙基准源设计
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 带隙基准源 互补金属氧化物半导体 温度系数 电源抑制比
年,卷(期) 2020,(2) 所属期刊栏目 微电子、微系统与物理电子学
研究方向 页码范围 345-349
页数 5页 分类号 TN432
字数 2000字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA2018231
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋品群 广西师范大学电子工程学院 49 368 9.0 17.0
2 宋树祥 广西师范大学电子工程学院 81 289 8.0 12.0
3 庞中秋 广西师范大学电子工程学院 5 6 2.0 2.0
4 张泽伟 广西师范大学电子工程学院 2 3 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
互补金属氧化物半导体
温度系数
电源抑制比
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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7
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11167
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