Cascode型GaN功率器件的开关过程及损耗分析

• 作者: 任永硕 张延斌 朱景伟 梁壮 熊华燕 王荣华
• 来源期刊: 大连海事大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共源共栅结构 氮化镓器件 开关过程 开关损耗分析 驱动网络参数
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 120-127
• 页数: 8页
• 分类号: TM32
• 语种: 中文
• DOI: 10.16411/j.cnki.issn1006-7736.2020.02.015

摘要

共源共栅级联(Cascode)型氮化镓(GaN)功率器件开关过程较为复杂,其开关过程和功率损耗直接影响器件的设计、应用和分阶段建模.由于器件封装成模块结构,很难对内部器件的开关性能进行分析,因此利用同型号耗尽型GaN管与低压Si MOS管搭建外部级联型GaN功率器件,检测双脉冲开关过程中低压Si MOS管漏极电压,从而分析耗尽型GaN管与低压Si MOS管各自的开关过程,以及各自的寄生参数对整管开关特性的影响.推导了考虑寄生电容影响的GaN功率器件的开关损耗计算模型.采用实际Cascode型GaN功率器件,搭建器件开关特性测试硬件平台,研究不同驱动网络参数对开关特性的影响规律.实验结果验证了本文分析方法的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱景伟	大连海事大学船舶电气工程学院	47	234	8.0	13.0
2	张延斌	大连海事大学船舶电气工程学院	1	0	0.0	0.0
3	王荣华		1	0	0.0	0.0
4	梁壮		1	0	0.0	0.0
5	任永硕		1	0	0.0	0.0
6	熊华燕		1	0	0.0	0.0