具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管

• 作者: 王艺澄 靳晓诗
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿场效应晶体管 带带隧穿 双向开关特性 低亚阈值摆幅
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2020.04.002

摘要

基于带带隧穿原理,提出一种具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管.不同于传统隧穿晶体管的PIN结构,新结构具有双向导通性,源漏区可互换,对反向泄漏电流有更好的抑制效果,同时具有低功耗和低亚阈值摆幅的优点.其对称的结构能更好兼容CMOS工艺,设计灵活性更好.通过Silvaco TCAD软件对器件3D结构进行I-V特性仿真,分析各器件参数改变对器件开关电流比(Ion-Ioff)、亚阈值摆幅(SS)、反向泄漏电流和正向导通电流等电学特性的影响,从而改善器件特性,优化器件结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳晓诗	沈阳工业大学信息科学与工程学院	5	5	2.0	2.0
2	王艺澄	沈阳工业大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0