C、N、F掺杂对VO2电子结构影响的研究

• 作者: 万金玉 刘怡飞 李雪娇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 二氧化钒 态密度
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 239-245,258
• 页数: 8页
• 分类号: O562
• 字数: 2996字
• 语种: 中文

摘要

二氧化钒(VO2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变.第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56％、3.13％、4.69％的原子浓度掺杂M1相VO2的带隙Eg1降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69％的浓度掺杂VO2的带隙Eg1最小(0.349 eV).在C、N、F掺杂M1相VO2体系中,3.13％的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13％的N原子掺杂VO2可以在实际中应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪娇	中国科学院上海应用物理研究所	4	1	1.0	1.0
2	万金玉		2	0	0.0	0.0
3	刘怡飞		2	0	0.0	0.0