晶圆级封装中硅基盖帽的湿法腐蚀工艺

• 作者: 吴鹏 孙丽存 李志华 袁俊 郭杰 黎秉哲
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 红外焦平面阵列(IRFPA) 晶圆级封装 湿法腐蚀 腐蚀速率 掩膜
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 498-502
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2020.06.011

摘要

对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si<100>衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响.针对深腐蚀中掩膜易脱落的缺点,提出了一种先用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO2介质层,再用磁控溅射生长CrAu金属层的方法,SiO2介质层和CrAu金属层作为双层掩膜.研究结果表明:硅的腐蚀速率随温度的增加呈指数增加,在饱和NaOH溶液中腐蚀速率最快,腐蚀速率可达15 μm/min.最终腐蚀出表面平整、界面清晰的硅基盖帽,盖帽空间面积为2 cm×2 cm,深度超过100 μm,复合掩膜层没有开裂、脱落现象,具有优异的抗腐蚀性.该腐蚀工艺对红外焦平面阵列(IRFPA)探测器晶圆级封装具有重要的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭杰	云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室	15	24	3.0	4.0
2	袁俊	云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室	14	59	5.0	7.0
4	黎秉哲		3	3	1.0	1.0
5	吴鹏	云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
8	李志华		1	0	0.0	0.0
9	孙丽存	云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室	1	0	0.0	0.0