氧氩比对MoZnO薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 刘建文 高晓红 岳廷峰 孟冰 付钰
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: MoZnO薄膜晶体管 氧氩比 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 信息科技
• 页码范围: 77-81
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

在室温下使用射频磁控溅射技术,在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上制备了MoZnO薄膜及其薄膜晶体管(TFTs).研究了溅射过程中氧氩比对MoZnO薄膜及其TFT性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)表征MoZnO薄膜的结晶特性,用紫外可见分光光度计来表征MoZnO薄膜的光学特性.结果显示,不同氧氩比下制备的MoZnO薄膜均呈现(002)晶面择优生长,平均透过率均在90％以上.氧氩比为25:75时器件性能最佳,电流开关比为3.42 ×107,阈值电压为17.8 V,亚阈值摆幅为4.2 v-1 ? decade-1,载流子迁移率为0.72 cm2 ? V1,界面缺陷态密度Nit为3.04xl018 cm-2·eV-1.