HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究

• 作者: 唐义强 张万里 曾慧中 杨潇 肖化宇
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2/SrTiO3 场效应晶体管 DLTS 缺陷 介电常数
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN934.2|O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.19651/j.cnki.emt.1904049

摘要

研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3 (STO)场效应晶体管中缺陷的方法.该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧化铪.实验结果和模拟计算均表明SrTiO3基底介电常数随温度的变化会对DLTS测试结果产生不可忽略的影响.在低温下,STO介电常数变化了约3倍,导致DLTS谱线的峰偏移了约1～3 K,进而引起所测缺陷能级偏大约15％,表观陷阱浓度也同样偏大.基于模拟计算,提出了一套修正DLTS实验数据的方法.使用该方法,得到HfO2/STO样品的缺陷能级为0.17 eV～0.38 eV,陷阱浓度为1012 cm-3～1013 cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里		142	705	13.0	17.0
2	曾慧中		15	50	4.0	6.0
3	肖化宇		1	0	0.0	0.0
4	杨潇		1	0	0.0	0.0
5	唐义强		1	0	0.0	0.0