SiO2添加对LTCC基板致密性及共烧兼容性的影响

• 作者: 付振晓 傅邱云 沓世我 程凯 陈涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: LTCC SiO2 Ag扩散 共烧兼容 低通滤波器
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-36
• 页数: 8页
• 分类号: TN604
• 字数: 4519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.06.006

摘要

为解决LTCC基板与Ag共烧兼容性的问题,系统研究了SiO2添加对K-B-Si(KBS)玻璃+Al2 O3体系LTCC基板材料烧结致密性及与Ag共烧兼容性的影响.实验结果表明,SiO2的添加可有效降低烧结基板气孔率,抑制基板成分与Ag之间的相互扩散,降低共烧Ag层方阻,改善与Ag共烧基板的平整性.在此基础上试制了基于LTCC技术的片式低通滤波器,结果表明,滤波器性能与仿真结果相吻合,材料的工艺适应性良好,有望应用于射频器件领域.