溅射叠层金属前驱体-硫化法制备Cu2SnS3薄膜综合实验设计

• 作者: 崔广州 程树英 胡晟 贾宏杰 马为民
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 太阳电池吸收层 Cu2SnS3薄膜 硫化温度 综合实验
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.12179/1672-4550.20190301

摘要

利用磁控溅射法在玻璃基片上依次沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜.分利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征.研究了硫化温度对Cu2SnS3薄膜性能的影响,结果表明,硫化温度为460℃时,制备出结晶性能好的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜具有合适的载流子浓度～1017/cm3、较高的载流子迁移率4.40 cm2/(v·s)、较低的电阻率4.34Ω·cm.通过此综合实验的设计、Cu2SnS3薄膜的制备、性能表征和分析,有利于提高学生的实践能力和创新能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程树英		96	443	11.0	17.0
2	贾宏杰		4	2	1.0	1.0
3	马为民		2	0	0.0	0.0
4	胡晟		2	0	0.0	0.0
5	崔广州		2	0	0.0	0.0