AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

• 作者: 吕威 孙晓娟 张山丽 石芝铭 臧行 蒋科 贲建伟 陈洋 黎大兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2046-2067
• 页数: 22页
• 分类号: O47|TN36
• 语种: 中文

摘要

AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎大兵	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	4	18	1.0	4.0
2	陈洋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	17	112	6.0	10.0
3	吕威	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	6	13	3.0	3.0
4	贲建伟	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
5	孙晓娟	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
6	蒋科	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
7	石芝铭	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
8	臧行	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
9	张山丽	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0