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摘要:
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响.透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶ β-Ga2O3晶体光学带隙增大.在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶ β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快.
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文献信息
篇名 Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 氧化镓 Ge掺杂 发光性能 快衰减
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1534-1540,1561
页数 8页 分类号 O73
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐军 16 38 4.0 5.0
2 张浩 59 566 13.0 22.0
3 刘波 28 105 7.0 8.0
4 唐慧丽 5 6 1.0 2.0
5 何诺天 1 0 0.0 0.0
6 朱智超 1 0 0.0 0.0
7 赵衡煜 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
氧化镓
Ge掺杂
发光性能
快衰减
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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38029
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