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Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
作者:
何诺天
刘波
唐慧丽
张浩
徐军
朱智超
赵衡煜
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氧化镓
Ge掺杂
发光性能
快衰减
摘要:
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响.透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶ β-Ga2O3晶体光学带隙增大.在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶ β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快.
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β-Ga2O3
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In:Ga2O3氧化物半导体晶体的生长与性能研究
In:Ga2O3晶体
浮区法
电导率
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文献信息
篇名
Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
氧化镓
Ge掺杂
发光性能
快衰减
年,卷(期)
2020,(8)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1534-1540,1561
页数
8页
分类号
O73
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
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徐军
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张浩
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刘波
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Ge掺杂
发光性能
快衰减
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研究来源
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研究去脉
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
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