单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟

• 作者: 蔡厚道 陈云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钼 c-Si 异质结太阳电池 转换效率 二维材料 数值模拟
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2287-2291,2307
• 页数: 6页
• 分类号: TB383.2|TM914.4
• 语种: 中文

摘要

单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力.本文基于AMPS模拟软件,对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析.通过模拟优化,n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm-3,p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm-3时,太阳电池能够取得最高22.1％的转换效率.最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响,发现界面态密度超过1011 cm-2·eV-1时会严重影响太阳电池的光伏性能.