第一性原理分析La、W共掺杂SnO2的导电性

• 作者: 包志舟 孙绍琦 张广智 朱艳彩 王景芹
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 触头材料 镧-钨共掺杂 第一性原理 导电性
• 年，卷（期）: 2020,（z1）
• 所属期刊栏目: 无机非金属及其复合材料
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TM23
• 字数: 3161字
• 语种: 中文

摘要

AgSnO2触头材料在使用过程中会析出导电性很差的SnO2晶体,从而影响继电器的使用寿命.为了提升SnO2的导电性,通过Material Studio软件中的CASTEP模块,利用第一性原理,在SnO2晶体中分别掺杂单一元素La、W以及共掺La、W,使掺杂比例保持在16.8％,计算得到晶体的晶胞参数、能带结构、态密度、原子布居、焓变值以及电导率等.结果表明:相对于单元素掺杂,共掺La、W后,带隙值减小为0.222 eV,两个5d轨道同时作用,价带顶穿过费米能级,增加杂质轨道.焓变值绝对值增加为11.635 eV,说明掺杂后结构较稳定.掺杂后La、W与O成键相对于Sn-O键成键作用更强,加剧电子转移.电导率为本征SnO2的46.653倍,导电性提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王景芹	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	117	645	13.0	20.0
2	朱艳彩	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	15	103	7.0	10.0
3	孙绍琦	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	张广智		8	3	1.0	1.0
5	包志舟		1	0	0.0	0.0