GaN单片功率集成电路研究进展

• 作者: 赖静雪 陈万军 孙瑞泽 刘超 张波
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 全氮化镓 变换器IC 单片集成 功率变换
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: "GaN电子器件与先进集成"专题
• 页码范围: 24-35
• 页数: 12页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0212

摘要

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有工作频率高、导通损耗小等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中,而拥有更高集成度的全GaN单片集成电路可进一步提高基于GaN HEMT器件功率变换器的性能.介绍了不同类型的全GaN集成工艺平台以及GaN功能子电路的研究进展,并对全GaN单片集成功率IC的研究现状进行了综述.