基于平均二次电子发射系数的航天器表面起电特征分析

• 作者: 方庆园 王通 季启政 冯娜 刘卫东
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 双麦分布 表面起电阈值 磁层亚爆 严重充电事件
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 高功率微波技术
• 页码范围: 77-82
• 页数: 6页
• 分类号: TM12
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB202133.200149

摘要

为了进一步贴近航天器表面起电环境以得到更加可信的分析结果,针对航天器在恶劣充电环境下的表面起电问题,考虑空间等离子体双麦克斯韦分布情况,建立了基于平均二次电子发射系数的航天器表面起电阈值方程,可在入射电子能量连续分布情况下定量分析航天器表面起电特征,其中双麦分布可更好地描述磁层亚爆期间的恶劣充电环境.经过理论分析,归纳出双麦分布下的两种典型等离子体状态.通过仿真计算,得到了在两种典型等离子体状态下航天器表面电位随等离子体浓度和温度变化的特征.结果表明:电子温度越高,表面负带电电位越高,充电越严重,与此同时,双麦分布下等离子体两种电子组分的浓度比值对带电结果有重要影响.