一种抗辐照加固高压DAC的设计

• 作者: 苏晨 雷郎成 高炜祺
• 来源期刊: 空间电子技术
• 关键词: 高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐照
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与网络|Circuit & Network
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: V443+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2021.03.008

摘要

高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等.通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响.文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了MOS器件的不同阈值变化对DAC影响的机理.并提出一种低电源电压的设计思路,有效提高了高压DAC的抗辐照能力.最后,利用内置LDO和输出运放钳位降压的设计,将高压DAC的抗辐照能力提高至50k rad(Si).