一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法

• 作者: 高丹
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 关键词: 微机电系统 单晶缺陷 检验方法
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 测试•测量技术与设备
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TN307
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2021.02.011

摘要

为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法.结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用.