SiC MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合

• 作者: 曾伊浓 易映萍 董晓帅
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 碳化硅 MOSFET 寄生参数提取 温度特性 贝叶斯正则化 人工神经网络
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 大功率电力电子与智能输配电|High-power Electrical Electronics and Intelligent Transmission and Distribution
• 页码范围: 138-149
• 页数: 12页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20200310007

摘要

为了对碳化硅(SiC)MOSFET功率器件的特性参数进行全面的研究,提出了一种碳化硅(SiC)MOSFET变温度参数模型,该模型考虑了功率器件中封装引脚寄生电感、内部寄生电容、体二极管等特性参数,并根据器件的开关过程中的不同阶段,将功率器件中的导电沟道等效为不同电路模型.为获取该模型中的涉及的特性参数,搭建了基于Agilent B1505A功率半导体分析仪和矢量网络分析仪(VNA)的测试平台对SiC MOSFET功率器件的静态特性参数进行了全面测量,然后使用基于贝叶斯正则化LM算法的改进BP人工神经网络对所测的数据进行非线性拟合.结果表明,相较于传统拟合方法,该方法具有更高的精确度与泛化能力,为SiC MOSFET功率器件建模与参数分析提供了重要依据.