高功率脉冲磁控溅射钛靶材的放电模型及等离子特性

• 作者: 陈畅子 马东林 李延涛 冷永祥
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高功率脉冲磁控溅射 等效电路 整体模型 离化率
• 年，卷（期）: 2021,（18）
• 所属期刊栏目: 总论|GENERAL
• 页码范围: 106-115
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20202050

摘要

等离子密度及金属离化率是影响高功率脉冲磁控溅射沉积薄膜质量的关键因素,高功率脉冲磁控溅射参数(如电压、脉宽、沉积气压及峰值电流等)影响着等离子密度和金属离化率.本文利用MATLAB/SIMULINK建立等效电路模型,对高功率脉冲磁控溅射钛(Ti)靶材的放电电流曲线进行模拟,利用鞘层电阻计算Ti靶材鞘层处的等离子密度,并采用半圆柱体-整体模型理论计算Ti的离化率.研究发现:采用由电容、电感和电阻组成的等效电路模型,可以模拟Ti靶材的放电电流;在不同高功率脉冲溅射电压、脉冲宽度和不同沉积气压下,真空室等离子密度在2×1017—9×1017 m-3范围内,随着溅射电压、脉冲宽度及沉积气压的增加,鞘层处的平均等离子密度增大;在不同沉积气压下,Ti的离化率值在31％—38％之间,随着气压增加,Ti的离化率增加.