掺杂对ZnO薄膜光学性能影响的研究现状

• 作者: 张舒婷 王浚宇
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 23-24
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

自1990年代以来,出现了以GaN, ZnO和SiC为代表的新一代宽带隙半导体材料.这些材料在紫外光电探测器,大功率器件,短波长发光二极管和大功率激光器中具有优异的性能,具有良好的发展前景.ZnO具有紫外线激发发射的性质,使其很快成为继GaN之后具有更好性能的半导体材料.ZnO是具有纤锌矿结构的宽带隙直接带隙半导体材料.