FDV Mura改善研究

• 作者: 张勇 李林 彭林 王志刚 神户诚
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: Mask offset 暗线 照度 方位角
• 年，卷（期）: 2021,（19）
• 所属期刊栏目: 信息技术|Information Technology
• 页码范围: 34-36,39
• 页数: 4页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.19.008

摘要

为提升产品品质,满足市场需求.B19采用光配向工艺(UV2A)对PI膜进行配向,其具有透过率高及广视角等优点,但其又有明显缺陷──拼接Mura(FDV曝光机名称,统称FDV Mura).通过调整Mask位置、改变PI液种类、调整照度等方法进行Mura改善研究,结果表明:通过优化Mask Y方向offset(将中心暗线调至子像素中心)、选择更为稳定的PI液(或加强曝光能量波动控制)、提升TFT侧照度或降低CF侧照度,对改善Mura效果具有较好效果.