ε-Ga2O3/4H-SiC异质结的能带排列分析

• 作者: 甘明丰
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镓(Ga2O3) X射线光电子能谱(XPS) 能带排列 异质结
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 材料:实验与研究
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TQ13
• 语种: 中文

摘要

本文利用X射线光电子能谱法(XPS)研究了 ε-Ga2O3/4H-SiC异质结的能带排列(band alignment).实验所用的样品均采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)制得.通过紫外-可见吸收光谱测量,得到SiC和Ga2O3的光学带隙分别为3.29?eV与4.80?eV.Ga2O3/SiC界面的价带偏移量与导带偏移量分别为0.61?eV和0.9?eV.Ga2O3/SiC异质结表现为Ⅰ型能带排列.