多孔SiO2为栅介质的IGZO基双电层薄膜晶体管

• 作者: 崔胜战 张健豪 王晓新 阙怡涵 马卓杰 杜路路
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（15）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

薄膜晶体管的低电压操作一直是研究者期待解决的问题.双电层电容具有巨大的电容,被认为是低功耗电子器件有希望的候选材料.我们以磁控溅射技术沉积多孔SiO2固态电解质薄膜为介质层,制备了铟镓锌氧(InGaZnO:IGZO)基双电层薄膜晶体管(EDLT).多孔SiO2薄膜表现出大的双电层电容(0.2μF/cm2),具有大的栅极调控作用.因此,IGZO基EDLT可以工作在<1V的栅极电压下.