钨化学气相沉积工艺过程中的缺陷研究

• 作者: 季连涛
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 钨薄膜 化学气相沉积 气相成核颗粒 "火山效应"缺陷
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造|Process and Fabrication
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2022.01.013

摘要

阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中会出现因硅烷(SiH4)/氟化钨(WF6)比例不同而造成的缺陷问题.探讨硅烷(SiH4)过量而产生的气相成核(GPN)颗粒缺陷及氟化钨(WF6)扩散至氮化钛薄膜下底与钛和硅反应生成钛氟化物(TiF3/TiF4)或者硅氟化物(SiF4)的腐蚀缺陷(火山效应)以及对其产生机理进行了简要概述,并对其缺陷的产生提出了有效的改善方法.