半导体信息期刊
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半导体信息

Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
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  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  1-1
    摘要: 【正】在2001~2010年十五规划与十一五规划期间,半导体产业被大陆列为重点扶植产业之一。DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析,在国发(2000)18号文政策推动下,包括中...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  2-2
    摘要: 【正】在TD智能终端技术发展技术研讨会上,工信部电子信息司副司长赵波表示,未来将加快TD终端芯片与操作系统的研发,确保TD-SCDMA用户在年底突破5000万户。截止目前,TD-SCDMA用...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  5-5
    摘要: 【正】日本强震虽震出半导体供应链疑虑,但包括台积电、联电、全球晶圆(Globalfoundries)及三星等晶圆代工厂均不畏局势逆转,重申不下修今年资本支出,要在先进的28纳米制程做激烈决战...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  6-6
    摘要: 【正】美国科学家使用自主设计的、精确的原子逐层排列技术,构造出了一个超薄的超导场效应晶体管,以洞悉绝缘材料变成高温超导体的环境细节。发表于《自然》杂志上的该突破将使科学家能更好地理解高温超导...
  • 作者: 孙再吉
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  8-9
    摘要: 【正】IBM研究中心公开了首款通过晶圆尺寸石墨烯制造出的集成电路,并展示了频率高达10GHz的宽带混频器。这款模拟集成电路有一个石墨烯晶体管和一对整合在碳化硅晶圆上的电感器构成,以无线通信应...
  • 作者: 孙再吉
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  9-10
    摘要: 【正】美国普渡大学研究人员们研究出一种能够改善石墨烯单晶体阵列的制造方法,使其实现类似于硅晶生产的方式与品质。"以硅晶所实现的高品质量产观点来看,石墨烯尚未到位,但在迈向这一发展方向的道路上...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  11-11
    摘要: 【正】日立制作所日前宣布,开发出了有关中高耐压(35~300 V左右)晶体管的两项技术,其中一项是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个晶体管的技术,另一项是可将栅源极耐压提高至300 V...
  • 作者: 孙再吉
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  13-13
    摘要: 【正】据报道,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓(Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)衬底的GaN基LED器件,预计器件及氧化镓衬底可在2011年年末上市,与以...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  13-14
    摘要: 【正】电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战,而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中,上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战,全球领先的高性能功率和便携...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  14-15
    摘要: 【正】近年来,拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体,而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  15-16
    摘要: 【正】近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  16-16
    摘要: 【正】记者近日从集美大学获悉,由集大刘年生教授及其团队承担的厦门市科技重点项目"适用于RFID读写器的安全芯片设计"项目通过验收。刘年生研制出的芯片,拥有一颗让人很放心的"芯"它把传输的数据...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  16-17
    摘要: 【正】Tabula,MorethanIP,NetLogic Microsystems三家公司联合研发出堪称业界首款可编程的100G以太网芯片,其造价低于500美元。据悉,该可编程1 00G以...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  17-17
    摘要: 【正】据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。三星电子在声明中称,...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  18-18
    摘要: 【正】盛群半导体推出HT48R068B、HT48R069B与HT46R068B、HT46R069B大容量微控制器(MCU)。HT4xR068B唯读存储器(ROM)为16k×16、随机存取存储...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  20-20
    摘要: 【正】日亚化学工业在正于东京有明国际会展中心举行的"Photonix 2011"上公布了绿色半导体激光器的新产品和试制品。绿色半导体激光器新产品"NDG1114T"的振荡波长为515 nm,...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  21-22
    摘要: 【正】据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)透露,其编制的全球芯片厂数据库(WorldFabDatabase)的数据显示,2011年半导体芯片公司在芯片厂资本投资数额和芯片厂装机制造产能两...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  23-26
    摘要: 【正】从技术投资与市场竞争力的观点来看,半导体业者从12英寸厂拓展至18英寸厂,以提升产能规模,已是不可避免的发展趋势。然而,18英寸厂的建造面临严峻考验,因此未来全球半导体业者在18英寸晶...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  23-23
    摘要: 【正】市场研究机构Information Network日前发表报告指出,2010年太阳能、风能等应用半导体产品市场营收达到了14亿美元,市场规模和2009年相比增长了25.4%,而201 ...
  • 作者: 孙再吉
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  28-30
    摘要: 【正】上海:目前,上海集成电路产业已基本形成开发、设计、芯片制造、封装测试以及支撑业和服务业在内的完整产业链,并逐渐形成了互动的态势,这使得上海集成电路产业的发展无论从规模上还是速度上都处于...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  30-32
    摘要: 【正】"全世界的客户在等待!"走进日本瑞萨电子公司那珂工厂园区,一条写有上述字样的横幅跃入眼帘。这并非狂妄之言。瑞萨是全球首屈一指的微控制器和高级半导体解决方案供应商。按照日本汽车业人士的说...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  32-33
    摘要: 【正】日本政府要求关闭滨冈核电厂,让复工中的日本半导体材料供货商雪上加霜。业界指出,日本夏日电力不足将导致材料供给低于预期,包括硅晶圆、银胶、环氧树脂等半导体材料涨势确立,第2、第3季涨幅恐...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  33-34
    摘要: 【正】日本东北地区日前出现超级强地震,虽然真正损失暂无法评估,以存储产业而言,东芝(Toshiba)因为地震造成生产线中断,以及日前停电造成4.8万片12英寸晶圆受损,NAND Flash闪...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  34-35
    摘要: 【正】日本为电子产业供应链重心,自311地震迄今,将届满2个月,全球微机电系统(MEMS)产业已重新站稳脚步,安然度过地震危机。迄今MEMS传感器供给状况受地震影响甚微,日本地震对全球MEM...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  37-38
    摘要: 【正】研究机构IHS iSuppli日前表示,苹果公司(Apple Inc.)(AAPL-US)受到iPhone和iPad等热门产品买气带动,在去年期间,已摇身一变成为全球OEM制造商之中,...
  • 作者: 孙再吉
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  38-38
    摘要: 【正】2009年NXP在基站LDM()S功率放大器领域销售额实现了4—5倍的增长,中国市场份额由原来的12%提升至2009年的35%(iSuppli最新数据)。而在新的设计项目中,NXP在中...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  39-40
    摘要: 【正】日前,意法半导体公司(STMicroelectronics)宣布,将大幅度提高其MEMS(微电子机械系统)产能。根据市场方面持续且强劲的需求,预计到2011年底,传感器产能将突破300...
  • 作者: 沈熙磊
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  40-41
    摘要: 【正】据韩国电子新闻报导,三星电子(Samsung Electronics)1990年代受到专利诉讼、国际货币基金组织(IMF)危机等,1999年决定抛售工厂并撤守电力芯片事业,历经12年,...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  41-42
    摘要: 【正】中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基,这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件—绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2011年3期
    页码:  43-43
    摘要: 【正】据新华社日前报道,上海硅酸盐研究所20余台具有自主知识产权的碳化硅晶体生产炉已成功稳定生产高质量碳化硅晶体。据碳化硅晶体项目部晶体生长组组长严成锋介绍,自主研制新一代中用晶体炉可以打破...

半导体信息基本信息

刊名 半导体信息 主编
曾用名
主办单位 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所  主管单位
出版周期 双月刊 语种
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