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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】没有自主可控的技术,就没有产业的独立。要加快在微电子、网络设备、系统软件、新型显示器件、重大电子装备、基础材料等领域突破核心技术,逐步建
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】工信部近日正式发布《国家统一推行的电子信息产品污染控制自愿性认证实施规则》。为确保认证制度实施的有效性和可操作性,国家认监委、工信部还公布了国家统一推行的电子信息产品污染控制自愿性认证...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】平板显示行业一位资深人士近日透露,中国液晶面板进口关税今年将由3%提高至5%,只是尚未正式公布。
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET<sup>TM<...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicro electronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】通信、工业和消费类应用提供模拟接口零组件的领先供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO)今天推出一种高增益、高线性功率放大器,可为700-800 MHz移动基础...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】Intersil公司宣布推出一组具有卓越直流精度及噪声性能的40V低功耗、高ESD防护等级放大器产品——ISL28407、ISL28417和ISL28408,进一步扩大其精密放大器产品...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】美国Mimix Broadband公司最近推出一款GaAs MMIC高功率放大器(HPA),它的脉冲饱和输出功率为+41 dBm,小信号增益为17 dB。这一名为XP4057-BD的H...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高性能6 GHz整数N频率合成器LTC6945,该器件具卓越的—226 dBc/Hz归一化闭环带内相位噪—...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】SiGe半导体公司预计,欧洲的卫星导航网络伽利略(Galileo)将催生一个快速增长的OEM市场。这家公司近期开始交付SE4120L接收器样品,据说它是首款同时支持美国GPS网络和欧洲...
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14. 中科院石墨烯研究取得新进展刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】在中科院"百人计划"和国家自然科学基金项目支持下,中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室低维材料摩擦学课题组在石墨烯基阴极材料场发射特性研究中取得重要进展。石墨烯具有极高的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】援引国外媒体报道,英国剑桥大学的科学家们利用"神奇材料"石墨烯"墨水",首次使用普通的家用打印机打印出由石墨烯制成的柔性电路,最新研究突破有助于科学家们大规模廉价制造出可穿戴的电子设备...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】包括英国国家物理实验室在内的跨欧研究小组开发出了一种令人难以置信的石墨烯材料,其将成为微型芯片和触摸屏等未来高速电子产品的关键成分。在该成果的推进下,生产出作为未来纳米技术基础的新材料...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】伴随着MEMS传感器融合的诞生,以iPhone和iPad为代表的消费电子产品的运动感知能力正在发生根本性改变。"智能手机与平板是驱动今年增长的关键力量,这些产品中很多已经具有3轴加速计...
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18. 美研制出廉价石墨烯泡沫传感器刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】据美国《大众科学》网站近日报道,美国伦斯勒理工学院的科学家最新研制出了一款由石墨烯泡沫制成的新式传感器。该新型传感器只有邮票大小,纤巧、便宜且能重复使用,性能远超市面上的商用气体传感器...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research(SRC)与康耐尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)晶体管,并可提供给SR...
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20. 科学家鲍哲南成功研发有机半导体刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】史丹福大学日前宣布,鲍哲南及研发团队以"群聚"的方式,压缩材料中的分子(Molecules)结构,使其成为像制造半导体的水晶,这可以使电子(Electrons)在这"有机半导体"中更快...
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21. 3×5.5×1mm的MEMS模块刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】意法半导体(STMicroelectronics,简称ST),发布一款在3×5.5×1 mm微型封装内整合三轴线性加速度和角速度传感器的惯性传感器模块。这款新产品是6个自由度的iNEM...
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22. 国内首颗8英寸区熔硅单晶问世刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉硅单晶。据介绍,目前这三项新产品已相继从实验室走向应用阶段...
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23. 半导体工艺微细化遇阻刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20 nm工艺产品,而且还在开发旨在2～3年后量产的15 nm技术。不过,虽然技术在不断进步,但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包...
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25. 美国开发一种新的砷化镓晶圆蚀刻法刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法,这种蚀刻方法,其制造速度较传统的湿式蚀刻制程来得快、而成本又较干式蚀...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】台积电近日宣称,将会继续按照原定计划推进450mm(18英寸)晶圆的发展,预计2013-14年开始试验性生产,2015-16年投入批量生产。台积电计划在2014年完成大约95%的450...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】日本太阳油墨在"第三届尖端电子材料EXPO"(1月18～20日,东京有明国际会展中心)"上展出了用于静电容量式触摸面板布线材料的光刻银胶。该公司此次公开的布线图案样品实现了20μm/2...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicro electronics,简称ST)宣布,全球首款未使用任何接触式探针完成裸片全部测试的半导体晶圆研制成功。意法半...
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29. 台积电谈有关28nm工艺良率问题刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】台积电(TSMC)日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电欧洲公司总裁Maria Marced重申她与其他台积电高层之前所强调的:减少28nm...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 【正】市场研究机构IMS Research预测,全球功率半导体(power semiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模...
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