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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】工信部为鼓励我国企业自主创新,加强知识产权保护,推动信息和通信技术创新成果产业化与应用,开展了2012年信息产业重大技术发明评选活动。在各省、自治区、直辖市及有关单位申报项目基础上,经...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】工信部近日公布《2012年电子信息产业统计公报》,公报显示,2012年,我国电子信息产业销售收入突破10万亿元大关,达到11.0万亿元,增幅超过15%。2012年,我国电子信息产业销售...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】德国"heise"网站12月31日报道,世界知识产权组织(WIPO)公布的"2012世界知识产权指数"显示,中国商标专利机构2011年收到的专利和商标保护申请为全球最多。据WIPO估算...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸MOSFET。中科院指出,中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET,该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品"TK80A04K...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合,这种封装属于业界标准引脚排列封装,带有顶侧冷却,适用的产品中包括40-100 V中压产品系列。硅技术的进步结合Dual ...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出配备IR最新功率MOSFET的300 V器件系列,可为各种高效工业应...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】硅材料的节能能力已接近极限,部分企业把注意力放到碳化硅材料上。SiC材料的采用也是功率半导体器件的主要技术趋势之一。以前功率半导体器件都采用硅材料,但业内人士认为硅材料的节能能力已经接...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】罗姆与大阪大学研究生院工学研究科助教细井卓治、京都大学研究生院工学研究科教授木本恒畅及东电电子合作试制出了新的SiC制MOSFET。特点是将透过栅极绝缘膜的漏电流减小了90%,并将绝缘...
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10. 日本等国半导体技术创新应用刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】半导体器件的发明和应用深刻地改变了近50年的人类历史发展进程。进入21世纪,半导体器件无处不在,已成为构筑信息化社会的基石。同时,电力半导体在提高电力转换效率方面的作用使之成为构筑低碳...
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11. 日本的SiC半导体研究信息刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从～2.4变化到～3.3 eV。它的应用范围很广,比如高功率和高温半导体元件,微...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】日本经济产业省在近来发布的《节能技术战略》中,提出了以下五项节能技术:(1)超级燃烧系统技术——提高燃烧效率;(2)超越时空能量利用技术——储能;(3)信息化社会生活领域节能技术;(4...
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13. 三菱电机公布SiC器件节能效果刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】三菱电机对铁路车辆逆变器中SiC二极管的节能效果进行了验证,并公布了验证结果。该验证结果是通过将使用SiC二极管的逆变器配备在东京地铁银座线的新型"01系列列车"上,从2012年2月开...
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14. 单芯片集成低损耗SiC功率器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700VZ-FET.碳化硅MOSFET器件,还包...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】特点:1)MOS单体即可保持开关特性不变。无尾电流,开关损耗更低即使去掉sbd亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,损耗可降低50%以上,有助于设...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation)日前宣布,推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新...
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18. 未来的氧化镓器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】近期,日本信息通信研究机构NICT发布了Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体管研制成功的消息。与SiC和GaN相比,Ga<sub>2</sub>O<sub>3</...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】日本电装试制出了采用SiC功率元件制成的逆变器。该逆变器的特点是输出功率密度高达60 kW/L,这一数值达到了"全球最高水平"(该公司称)。该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为...
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20. 氮化镓即将实现产业化刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】近年来,GaN电力半导体的研发日益活跃。与采用Si电力半导体相比,GaN电力半导体应用于逆变器、转换器等的电力转换装置,可大幅提高效率,并实现小型化。富士通研究所与古河电气工业等组成的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】日前,世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称"华虹NEC")宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18μm SiGe工艺技术进入量产。由此成为国...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】TOKYOELECTRON LIMITED（简称"TEL集团"）向英飞凌公司提供SiC外延设备Probus-SiC<sup>TM</sup>,用于最先端SiC功率器件的量产。Probu...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】MicroGaN发布了一款基于硅衬底GaN的600 V耐压功率器件,预计2012年功率电子产品采购商将能够以硅(Si)基器件价格获得与SiC基器件性能相当的高性能晶体管和二极管。Mic...
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26. 降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望...
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27. 美开发出“4维”晶体管刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】最新报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管,其重要组件"门"(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为"4维"...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了,据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管,长度...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加...
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