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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Cree发布了行业内首个900V碳化硅MOSFET技术。该技术可在高频功率电子领域应用,如可再生能源变频器,电动车辆充电系统,三相工业电源。该900V平台与硅基解决方案成本相近,具有价...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】2015年5月22日,深圳长电科技有限公司召开2015年度锂电MOSFET系列新品发布会,宣布推出DFN2×3、CSP系列新品。深圳长电科技总经理杨国江、副总经理范荣定出席了本次发布会...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】GaN Systems称最新研发出世界上最小的650V,15A的氮化镓晶体管。新型晶体管GS66504B尺寸仅5.0mm×6.5mm,是7A到200A范围、650V器件系列产品的新成员...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Custom MMIC公司将于5月19日到21日在美国亚利桑那州菲尼克斯市举行的2015国际微波研讨会上发布几款新型砷化镓和氮化镓MMIC放大器,开关和倍频增效器。最新系列的产品包括两...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】随着增加强型650V硅基氮化镓晶体管GS65516T问世,GaN Systems公司的增强型硅基氮化镓晶体管产品再增新品,GS65516T据称能提供60A市场最高的电流能力。GS655...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】IDT公司和EPC公司近日决定合作,将IDT公司的硅技术和EPC的氮化镓技术结合,携手开发针对通信、计算机基础设施,无线电功率和射频电路领域的新型器件。对于通信基础设施应用来说,氮化镓...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】欧盟项目组HiPoSwitch,成功研发了一款快速高效增强型氮化镓功率开关。单一器件晶体管仅4.5×2.5mm2,经过优化可应用于600V条件下,导通电阻75mΩ,最大电流120A。晶...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Rohm最新发表了他们首次采用沟槽式结构研制并大批量生产了碳化硅MOSFET。与传统平面式碳化硅MOSFET相比,同样芯片尺寸条件下,导通电阻降低了50%,极有可能也能大幅降低许多设备...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】2015年6月8日,英飞凌科技股份公司推出发挥英飞凌新一代IGBT优势的最新一代PrimePACK TM功率模块。IGBT5和创新的.XT技术结合,是IGBT芯片和模块技术发展的一个重...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Northrop Grumman公司近期研发了一款氮化镓MMIC功率放大器,据称能获得Ka波段最大功率。这款27-30GHz的放大器在27GHz时,峰值功率达到40W条件下,27到30...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Pasternack公司公布了便携式台式射频放大器新产品线,其覆盖频带极宽,可达40GHz。这些射频放大器模块结实耐用,其设计可满足MIL-STD-202F标准中有关湿度、冲击、振动、...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】日前Vishay宣布,推出16颗采用超薄SMPD(TO-263AC)封装的新款10A~30AFRED Pt~Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。这些Vishay Sem...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Analog Devices,Inc.近日推出一款高度集成的四通道、24GHz接收机下变频器MMICADF5904,具有业界最佳的低噪声性能、高线性度和低功耗性能组合。ADF5904集...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】意法半导体的TN5050H-12WY是世界首款大功率可控硅整流晶闸管(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor),提供高达1200V的截止电压以及汽...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,近日推出四款通用ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA?Diode)解决方案,这些解决方案相比业内同类产品占据的电路板空间更小。SP...
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47. IBM在硅上生长化合物半导体刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】IBM公司的瑞士苏黎世研究所开发出了可在硅元件上生长出几乎没有晶体缺陷的化合物半导体晶体纳米线的技术。这可以说是一种虽然以Si/CMOS技术为基础,却无需依靠微细化就能提高半导体性能的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】日本半导体(芯片)、液晶技术研发机构日本半导体能源研究所(SEL、Semiconductor Energy Laboratory)已研发出可将耗电力压缩至现行1/10以下水准的下代芯片...
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49. 瞄准未来——太赫兹晶体管刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走,但研究已经开展起来,目前也取得了一些成果,比如对概念的物理分析。实际操作中也取得了一些突破,如在...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】英国罗彻斯特大学的研究者们发现原子厚度半导体的缺陷可以产生发光的量子点。这种量子点是单一光子的来源,这种现象对于量子光子学和固体电子学的联合研究十分有益——就是所谓的集成光子学。在《N...
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51. 多层二维半导体纳米材料研制成功刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】美国化学家研发出了一种新方法,使用硅碲化物制备出拥有多层结构的二维半导体纳米材料,这些材料拥有不同的形状和排列方向,可在多个领域大显身手。布朗大学的科学家使用硅碲化物制造出了纳米带和纳...
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52. 全球半导体10强今年重新洗牌刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】研调机构IC Insights预估,今年全球半导体销售前十强仍将以老面孔居多,估计英特尔、三星和高通仍将蝉联全球半导体IC销售金额前三名。值得留意的是,在恩智浦(NXP)、飞思卡尔(F...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】合肥12英寸晶圆制造基地项目将于9月在新站区开工建设,将为合肥集成电路产业增添一个新亮点。据悉,今年合肥将有20家集成电路产业项目落户,到年底集成电路企业将超过60家,产业发展集聚效应...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】"台湾只要进步速度快一点,大陆和我们竞争就不容易",晶圆代工龙头台积电董事长张忠谋,近日在股东会上强调,半导体行业不光靠资金和决心,技术累积更重要,台积电过去十年拉大与对岸的差距,"因...
半导体信息基本信息
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