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集成电路通讯
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主办单位：
中国兵器工业第214研究所
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出版周期：
季刊
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233042
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目,日前在北京通过科技部验收。这标志着拥有自主知识产权核心技术的大尺寸集成电路...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了PC并行端口在单片机、计算机等控制系统中作为数字I/O口的应用。在控制系统中,有许多的数字开关量、数字控制信号、数字信号等,都可以通过计算机并行端口进行采集;并将采集的数字信号经过计算...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了Proteus软件和ARM系列单片机,论述了基于Proteus平台下32位单片机LPC2114虚拟串口通讯仿真及调试过程。
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 低温共烧陶瓷(LTCC)技术在无源器件的研制方面具有功能化、集成化等优势,它的问世给无源器件的研究带来了革命性的变化。目前,LTCC技术的突破已经推动无源集成技术进入了实用化和产业化阶段,新...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍一种双电子延时器电路的原理结构设计,并针对其安全性进行分析与优化设计。
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 150安培的功率模块(Power Module,简称为PM)产品HFS22,近日在厦门宏发电声公司半导体器件事业部PM生产线上顺利通过综合电性能参数测试。至此,批量550块产品的试制全部完成...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了I2C总线通讯接口的基本原理,及如何用ALTERA公司的FPGA芯片设计I2C总线通讯接口,在QuartusII环境下进行设计,并给出了部分Verilog HDL源程序。
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 本文分析了在印制电路板上几种主要由导线引入的干扰的形成,以及如何从印制电路板的设计入手抑制此类干扰的方法。
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 据《中国电子报》2008年1月1日报道,近日,中科院微电子所杭州中科微电子有限公司宣布成功研发出具有自主知识产权的用于手机的低成本卫星导航接收芯片组。该项芯片设计技术的实现表明,国内已具备G...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 据《中国电子材料网》报导,国家鼓励软件及集成电路产业发展的18号文的替代政策《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂行办法》(下称132号文)的实施细则和今年项目指南已进入财政部、信息产业部和...
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11. 用剥离技术和激光技术制作薄膜电阻刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 研究了用一种新的方法制作定制薄膜电阻的可行性。结果表明,采用剥离技术和激光技术可以很好地实现某些定制薄膜电阻的制作,满足客户所要求的指标,其简化了光刻工艺,改进了薄膜电阻的制作方法,具有较大...
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12. ∑-ΔADC中调制器简述刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 在高速ADC领域,Σ-ΔAD使用日益广泛,本文主要介绍Σ-ΔAD的工作原理,着重介绍其调制器的结构和实现方法。
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 对粘片烘干工艺过程中各种工艺条件及工艺材料进行分析,找出影响内引线沾污问题的原因,通过理论和实验研究,找到最佳的工艺条件,并指出材料因素会对粘片烘干工艺产生较大影响。
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14. 国产首台直写式光刻机在合肥问世刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 据《中国电子报》2008年1月1日报道,中国首台拥有完全自主知识产权的直写式光刻机在合肥面世,标志着我国亚微米级光刻机完全依赖进口的局面将被打破。光刻机是生产电子芯片的最关键设备之一,电子芯...
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15. IBM开发废硅片的处理技术刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 据www.IBM.com披露,该公司成功开发了一种可回收瑕疵硅片的处理技术。并将处理过的废弃硅片变成太阳能面板的生产材料。该处理工艺的发明者Eric White称,硅片表面需要新工艺加水和磨...
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16. LTCC工艺技术的重点发展与应用刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 本文主要介绍LTCC工艺制造技术在目前和将来一段时间内的重点发展与应用情况，包括平面零收缩LTCC基板、空腔制作、精密细线条加工、带敏感结构LTCC基板，以及LTCC集成组件与模块、MCM用...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道，日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上，开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺，使100mm的S...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了不同电压接口存在的问题以及不同电压的逻辑标准，对低压FPGA／CPLD与5V电平接口的4种情形进行了详细分析，并以低压MAXⅡ芯片EPM1270为例介绍低压FPGA／CPLD在5伏系统...
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19. 全球半导体技术发展路线图刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： <正>~~
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20. 浅谈高速电流舵DAC刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了高速电流舵DAC的结构及其在高速、高精度DAC电路设计方面的应用。
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21. LPCVD制备氮化硅薄膜工艺刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性，在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性，详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressu...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 信息产业部2008年1月公布了2007年中国信息产业重大技术发明。中国科学院计算技术研究所等AVS工作组成员的AVS视频编码标准关键支撑技术、联想（北京）有限公司和闲联标准底层技术等10项技...
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23. 陶瓷基片填孔可靠性工艺研究刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 本文重点介绍陶瓷基片通孔金属化的工艺试验，以及如何提高陶瓷基片通孔金属化的可靠性筛选试验工艺。
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24. 声明刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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25. CAM350在版图优化中的应用刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： CAM350在计算机辅助制造方面有非常实用的功能，特别是在某些已经用大型计算机辅助设计CAD软件（如PROTEL、CADENCE、AUTOCAD等）完成绘制的比较复杂的版图，在应用于工艺后发...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 据《国际电子商情》报导，法国市场调研公司Yole Development提供关于化合物半导体材料市场的分析。预计2010年该市场将突破10亿美元大关。Yole Development指出，硅...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 本文较为系统地介绍了SPC技术的基本概念，SPC控制图的选用方法，SPC技术在厚膜混合集成电路（简称HIC）工艺中的应用方法，它包括：确定主要工艺技术参数；HIC加工过程中的数据采集，控制图...
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刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 从中国科学技术大学获悉；中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺，近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。
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29. 产品的二次筛选试验影响分析刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 通过某种产品的二次筛选试验前后的参数数据分析，从一个侧面分析了二次筛选对产品造成的影响，定量的表征了影响的程度，为以后的二次筛选乃至一次筛选对产品寿命影响的全面分析奠定基础。
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30. 我国研制出新型超导材料刊名： 集成电路通讯发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 据《科技日报》2008年3月24日报道，以北京大学物理学院冯庆荣教授为首的研究组成功制备出了具有超高载流能力的干净极限MgB2（二硼化镁）薄膜样品，以及超高上临界场的碳掺杂MgB2薄膜。该项...
集成电路通讯基本信息
| 刊名 | 集成电路通讯 | 主编 | 高惠潮 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国兵器工业第214研究所 | 主管单位 | |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
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