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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
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22967

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
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  • 1. 蓝绿光半导体光电子器件的研究与发展现状
    作者： 何伟全 赵红
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  1-4
    摘要： 综述了CaN和ZnSe两大系列半导体光电子器件的研究与发展现状，重点讨论了材料的生长方法，给出了器件发展的最高水平。
  • 2. 多路高速光电耦合器
    作者： 李应辉 王世俊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  78-80
    摘要： 研制了一种多路高速光电耦合器。采用混合集成技术，在16 DIP陶瓷管座内成功制作出四路高速光电耦合器。叙述了该器件的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。
  • 3. 4×288 TDI CCD信号读出电路
    作者： 张坤 李仁豪
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  56-58
    摘要： 采用硅工艺设计、制作了4×288 TDI CCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了4×288 TDI CCD信号读出电路的设计及制作，并给出了测试结果。
  • 4. GeSi／Si异质结红外探测器结构参数设计
    作者： 闫应星 高新江
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  46-48
    摘要： 文章对分子束外延的GeSi／Si异质结红外探测器关键参数进行了分析研究，采用经典理论对器件结构参数进行了计算，结果与实验数据吻合。
  • 5. 埋沟CCD器件电荷处理容量的二维数值模拟
    作者： 熊平 陈红兵
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  36-41
    摘要： 借助于二维器件模拟软件PISCES-IIB，通过在某相CCD电极下的耗尽区注入数量可控的电子电荷，对埋沟CCD器件电荷容量进行了定量分析。采用此方法对一种沟道宽度为7μm的CCD信道电荷容量...
  • 6. 红外焦平面阵列技术的发展现状
    作者： 孙志君
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  29-32
    摘要： 文章评述各种红外焦平面阵列技术的发展现状，其中，光量子型红外焦平面阵列包括Ⅱ-Ⅵ族HgCdTe三元化合物阵列、Ⅲ-V族InSb二元、InGaAs和GaAiAs三元化合物阵列、PtSi和非本征...
  • 7. 光电子集成电路进展
    作者： 谭朝文
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  14-18
    摘要： 较详细地介绍了光电子集成电路(OEIC)中研究最广泛、并取得可喜成就的OEIC光接收机和OEIC光发射机的最新进展，展望了OEIC的应用前景，并提出了目前应解决的课题。
  • 8. 64×64元InSb阵列CMOS读出电路
    作者： 刘昌林 李仁豪
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  53-55
    摘要： 根据64×64元InSb红外探测器对读出电路的要求，运用电路模拟和CAD技术，设计并研制了以X-Y寻址方式的64×64元InSb红外探测器用信号读出电路。文章重点介绍了64×64元InSb阵...
  • 9. CMOS图像传感器及应用
    作者： 程开富
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  25-28
    摘要： CMOS图像传感器是多功能、高性能的摄像器件。本文详细介绍了其工作原理及其在微型摄像机、数码相机、PC多媒体等中的应用。
  • 10. PtSi IRCCD像机对红外太阳光谱的观测
    作者： 何剑 周旭东 曹文达 邓光华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  62-66
    摘要： 采用PtSi 256×256元IRCCD器件对FeI 1．56μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 256×256元IRCCD器件及像机可满足观测的要求。对观测进行了计算机模拟，实际...
  • 11. 双波段光电探测器
    作者： 但伟 刘铁权
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  70-72
    摘要： 光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件。文章介绍采用Si和In-GaAs两种材料集成制作的双波段光电探测器，它能同时探测并区分400～1100nm和1100～1 650 nm波段的...
  • 12. 重庆光电技术研究所15个项目通过鉴定
    作者：
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  77
    摘要：
  • 13. 埋沟CCD器件工作状态的设计
    作者： 张坤 李仁豪
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  49-52
    摘要： 文章针对埋沟CCD器件的设计，详细介绍了CCD的工作状态及器件性能参数的设计考虑。对工作在不同状态的CCD，着重讨论了其信号容量、低噪声读出、工作速度等参数及其限制。
  • 14. 面向21世纪的民用光电子技术
    作者： 杨清宗
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  8-13
    摘要： 文章较全面地介绍了光电子技术在光通信、光数字存贮、民用消费品、制造业和医疗等民用领域的应用，并对该技术的民用市场和今后的发展进行了评价和预测。
  • 15. 退火质子交换法制作LiNnO3光波导
    作者： 沈映欣
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  75-77
    摘要： 文章介绍了退火质子交换机理和制作光波导的工艺过程。
  • 16. 光电材料的俄歇电子谱分析
    作者： 何伟全 尹燕萍 杨晓波 罗江财
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  84-86
    摘要： 俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度，并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布，所以它在各种材料，特别是微电子材料、光电子材...
  • 17. PtSi IRCCD肖特基势垒探测器噪声分析
    作者： 何剑 闫应星
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  42-45
    摘要： 文章从PtSi RCCD肖特基势垒探测器的基本工作原理出发，研究了PtSi肖特基势垒探测器阵列所产生的噪声。分析了噪声种类、产生根源及机理。探讨了减小及消除各种噪声影响的方法。
  • 18. PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究
    作者： 何剑 屈伟 邓光华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  59-61
    摘要： 采用倒装焊接技术，实现了PtSi 256×256 IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。
  • 19. 耦合用硅片V型槽的设计与制作
    作者： 杨成惠
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  73-74
    摘要： LiNbO3集成光学器件耦合的基础是设计并制作出高质量的硅片V型槽。文章介绍了硅片V型槽的设计和制作方法，采用该方法制作出的硅片V型槽质量好、成品率高，已成功地用于各种LiNbO3集成光学器...
  • 20. 半导体光电薄膜的分析和检测
    作者： 罗江财
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  81-83
    摘要： 半导体光电薄膜的制备，是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。文章介绍了半导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备...
  • 21. DVD光识读头技术及现状
    作者： 王大齐
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  5-7
    摘要： 光学头是一种典型的光机电技术型产品，是推动光盘产业发展的关键部件，其市场发展前景非常广阔。文章简要介绍了有关光学头的主要部件及组成要素，以及相关技术的发展现状。
  • 22. 超短光脉冲技术的研究进展
    作者： 廖柯
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  33-35
    摘要： 超短光脉冲在遥测、探索微观世界的规律以及产生高温等离子体等方面有极广泛的用途。介绍了超短光脉中产生的工作原理及国内外发展状态，并介绍了几种获得超短光脉冲的方法。
  • 23. ZnSe宽带隙半导体光发射器件
    作者： 何兴仁
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  19-24
    摘要： ZnSe宽带隙半导体光发射器件是未来全色光显示和高密度光记录用的重要器件。在相继完成材料、掺杂技术，以及器件结构相关的研究工作后，目前正在攻克器件实用化的关键技术——寿命。介绍了ZnSe的p...
  • 24. 用X射线衍射仪测试PtSi膜
    作者： 杨晓波 罗江财
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  87-88
    摘要： Philips MRD3710 X射线衍射仪由于其灵敏度高、可靠性好、操作方便，常常用于薄膜测试分析。采用X射线衍射仪对在(100)Si表面溅射Pt，并通过退火处理形成的Pt和Si的化合物进...
  • 25. 大气通信用新型半导体激光器
    作者： 王品红
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2000年z1期
    页码:  67-69
    摘要： 大功率半导体激光器可在大气空间通信系统作发射光源。文章阐述了器件的基本理论，对光模限制因子进行了计算，并开展了器件制作工作。所得器件峰值波长为1 540 nm，出纤功率大于15 mW。

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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期刊荣誉
1. 信息产业部优秀电子期刊
2. 重庆市优秀期刊

半导体光电统计分析

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