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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
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22967

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
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  • 121. 内调制光电探测器特性的模拟与实验分析
    作者： 何民才 吴凡 常胜 戴峰 熊力嘉 邱家威 黄启俊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  440-444
    摘要： 给出了内调制光电探测器受光结光生电压、输出结电流及内调制特性的理论模型;在此基础上进行数值计算,得到模拟曲线;并将实验曲线与模拟曲线对比,结果吻合.然后深入分析了栅压对受光结的光电特性的影响...
  • 122. 大功率底发射VCSEL出光窗口增透膜的研究
    作者： 刘云 初国强 套格套 孙艳芳 宁永强 晏长岭 王立军 秦莉 金珍花
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  445-447
    摘要： 在大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)出光窗口镀制了HfO2增透膜,其透过率达到99.9%.对镀膜材料以及透过率方面进行了比较,介绍了增透膜的制作过程.镀膜后直径为600μm的底发射VCS...
  • 123. Lyot型消偏器对不同类型光源的消偏性能影响
    作者： 刘毓 刘继红 方强 阴亚芳
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  448-450,453
    摘要： 应用Mueller矩阵分析Lyot型消偏器对不同类型光源的消偏性能.通过对矩形光源、洛伦兹光源及高斯型光源的消偏性能与消偏器参数的关系进行数值计算,得出了影响Lyot型消偏器的关键因素是晶体...
  • 124. 利用梯度曲率梁实现光纤光栅啁啾化
    作者： 宋宁 殷宗敏 郭晓金
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  451-453
    摘要： 提出了一种新颖的利用梯度曲率梁将光纤光栅调制成啁啾光栅的方法,给出了设计方法,并从理论上进行了分析.实验中获得了5.10 nm的啁啾带宽,而且中心波长不变.
  • 125. 808nm大功率准连续LD阵列
    作者： 刘刚明 武斌
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  454-455,458
    摘要： 采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析.实验结果表明,器件峰值波长为807.6 nm,光...
  • 126. 基于光纤环形镜滤波的L波段可调谐光纤激光器
    作者： 刘俭辉 李世忱 胡智勇 葛春风
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  456-458
    摘要： 设计并制作了基于保偏光纤的可调谐光纤环形镜滤波器,利用环形腔结构在L波段获得了40 nm的可调谐激光输出(1 570～1 610 nm).采用光纤光栅反射ASE(放大的自发辐射)的方法有效地...
  • 127. 单光子雪崩二极管的被动-主动混合抑制技术
    作者： 丁良恩 周春元 曾和平 李和祥 秦小林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  459-462
    摘要： 采用主动快恢复技术,设计了缩短死时间的被动-主动相结合的抑制电路,制作出高量子效率、低噪声、死时间短的单光子探测器,探测器的死时间由原来的大于2μs缩短为小于100ns,计数率达到5 MHz...
  • 128. 运动弱目标检测的一种新方法
    作者： 张启衡 祁小平
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  463-464,492
    摘要： 分析了噪声背景下弱目标区域的梯度分布特性,采用模糊技术来描述了弱目标边缘区域内灰度变化方向的一致性程度,把灰度变化方向的一致性程度作为各像素点隶属于边缘的模糊隶属度,进行目标初分割.然后利用...
  • 129. 图像测量技术在微型齿轮测量中的应用
    作者： 刘庆民 王龙山 陈向伟
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  465-468
    摘要： 在分析传统接触式微型齿轮测量技术难点的基础上,提出了一种基于CCD图像的微型齿轮非接触测量的方法,采用A102fCCD数字摄像头作为图像传感器,利用图像测量技术对微型齿轮进行非接触测量.主要...
  • 130. 近红外光学膜厚监控系统的研制
    作者： 佘卫龙 朱析 李宝军 江绍基 王自鑫 蔡志岗 马云飞
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  469-473
    摘要： 在光学真空镀膜膜厚监控过程中,近红外波段信号弱、外界干扰大、信噪比低,难于检测监控.运用相干检测、锁相放大原理,在光学真空镀膜机可见光波段监控系统的基础上,研制了锁相放大器和改装近红外探头组...
  • 131. 磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性
    作者： 孙海波 庄惠照 李玉国 王强 石礼伟 薛成山
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  474-476
    摘要： 采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅.样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392 nm;当样品用电化学的方法腐蚀...
  • 132. 硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用
    作者： 孙洋 童爱军 罗毅 蔡鹏飞 钱可元 雷建都 韩彦军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  477-479,483
    摘要： 基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚...
  • 133. 完全禁带二维光子晶体的研究
    作者： 姚汉民 张晓玉 张磊 张福甲 杜春雷
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  480-483
    摘要： 利用平面波展开法,对存在完全禁带的正三角排列的气柱型二维光子晶体和蜂窝状排列的介质柱型二维光子晶体进行了研究,分析了柱的半径和介质折射率对完全禁带大小的影响,结果表明,正三角排列气柱型比蜂窝...
  • 134. 基于共晶的MEMS芯片键合技术及其应用
    作者： 刘胜 易新建 甘志银 陈四海 陈明祥
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  484-488
    摘要： 叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法,分析了Au-Si、Au-Sn、In-Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展,并对其应用作了介绍.
  • 135. 基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响
    作者： 任晓敏 周守利 崇英哲 黄永清
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  489-492
    摘要： 基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响.基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/...
  • 136. 多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性
    作者： 史伟民 徐菁 潘美军 葛艳辉 邱永华 雷平水
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  493-495,498
    摘要： 用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2...
  • 137. 火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究
    作者： 夏君磊 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  496-498
    摘要： 用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O2的SiO2光波导材料.用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响.结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2-Si...
  • 138. 调控多孔硅光致发光波长的研究
    作者： 任鹏 刘小兵 史向华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2004年6期
    页码:  499-501
    摘要： 用超声声空化与脉冲电化学腐蚀相结合的物理化学综合法在不同的温度下制备多孔硅样品.所测得的样品的光致发光谱曲线表明,将腐蚀槽置于超声器中用脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅样品,由于声空化所引发的...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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2. 重庆市优秀期刊

半导体光电统计分析

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