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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

1. 光纤激光器研究进展

作者：张玉书杜国同申人升

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 1-5

摘要：光纤激光器具有寿命长,模式好,体积小,免冷却等一系列其他激光器无法比拟的优点,近年来受到了来自电子信息、工业加工和国防科技等研究开发领域的高度关注.文章概述了光纤激光器典型的工作原理,阐述了...
2. 全光波长变换技术的研究进展

作者：杨清陈名松陈明

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 6-10,15

摘要：全光波长变换技术是高速光纤通信网络的关键技术之一,是高速光纤通信系统中急需解决的问题.文章结合作者所研究的内容,对近年波长变化技术的研究情况进行了全面的回顾和总结,对几种全光波长变换技术的机...
3. 可用于弱光探测器的量子线研究进展

作者：倪海桥杜云杨晓红牛智川王鹏飞贺继方鞠研玲韩勤黄社松

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 11-15

摘要：以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度.文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果.采用MBE外延...
4. 聚合物薄膜晶体管的制备及性能

作者：刘玉荣刘超吴丽明李堂艳王智欣虞佳乐

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 16-20

摘要：以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管.器件的制备和测试都是在空气环境中完成.该薄膜晶体管呈现出...
5. AlxGa1-xN日盲紫外探测器及其焦平面阵列

作者：叶嗣荣向勇军唐遵烈廖秀英杨晓波罗木昌赵文伯赵红邹泽亚黄烈云

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 21-24

摘要：报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性.器件的开启电压大于3.5 V,-0.5 V偏压时暗电流小...
6. 基于自成像多模干涉光子晶体波导的耦合特性

作者：乐庸炉徐旭明方利广李未

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 25-27,33

摘要：模拟计算了二维三角形光子晶体波导自成像多模干涉的耦合特性.提出两种不同结构的二维光子晶体分束器,基于自成像多模干涉效应,用有限时域差分法数值计算和分析了这两种分束器的特性.研究发现其中一种分...
7. 聚合物脊形波导定向耦合电光开关的电极优化

作者：张大明王现银郑传涛闫欣马春生

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 28-33

摘要：给出了一种新型聚合物脊形波导定向耦合电光开关的结构模型和设计方法.应用保角变换法和镜像法分析了对称共面双电极的电场分布.为了获得最小的模式损耗和开关电压,优化了电极厚度、电极宽度和电极间距....
8. 标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究

作者：卞剑涛程翔芦晶陈伟陈朝

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 34-37,42

摘要：设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nm空间调制(Spatially Modulated,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTRE环境中等效电路的新模型.提出...
9. LCoS平板微显示驱动技术研究

作者：冯亚云凌志华夏洋杜寰欧毅王文博王晓慧韩郑生黄苒

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 38-42

摘要：研究了硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路的制备工艺、电路设计、版图绘制以及显示功能测试.采用化学机械抛光(CMP)工艺实现硅片表面平坦化方案,满足了LCoS微显示对表面平整度的要求;合理布设...
10. 准确测量大功率LED热阻的新方法

作者：周长波罗毅钱可元

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 43-46

摘要：准确测量大功率LED的热阻,关键是准确地确定LED的结温增量.首先利用正向电压法获得LED的结温;通过测量LED的降温曲线,计算获得LED稳定工作时底座的温度,从而得到LED的结温相对底座温...
11. 太阳能光伏模块电气特性的数学建模与仿真

作者：戴训江晁勤

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 47-50,126

摘要：太阳能光伏模块依靠电力变换器将太阳能转变为电能用于负载供电,电力变换器的设计需要考虑光伏模块的电气特性.文章根据太阳能模块生产商数据手册提供的电气特性参数,如短路电流,开路电压,短路电流的温...
12. 低功耗准线性CMOS光电耦合放大器

作者：倪雪梅周洋张雷张静成立王振宇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 51-54

摘要：设计了一款CMOS光电耦合隔离放大器(简称光电耦合放大器),其中输入放大器采用"套筒式"共源一共栅CMOS运放A1,输出放大器选用两级共源一共源CMOS运放A2,A1的输出信号经过两个光电耦...
13. GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料PL谱研究

作者：史衍丽沈光地牟明威邓军马楠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 55-58

摘要：结合薛定谔方程和泊松方程,模拟计算得到GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图,并对该材料进行光致荧光谱(PL)测量.结合理论计算,由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置...
14. 基于碳纳米管的微纳单元的实验研究

作者：向毅吴英周兆英方泽佳杨兴江永清许迪

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 59-62,66

摘要：利用碳纳米管生长技术和微加工技术,开展了微纳单元的实验方法研究,探索了"管压电极"和"电极压管"的微纳单元制备工艺.结构表征和电学特性测试结果表明,这两种工艺均可以加工出具有欧姆接触或者是肖...
15. In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究

作者：孔春阳彭丽萍方亮李艳炯杨小飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 63-66

摘要：采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In...
16. 不同衬底上溅射Cu膜的表面形貌

作者：罗崇泰雒向东

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 67-70,74

摘要：采用磁控溅射工艺在石英、云母与Ti/Si衬底上制备100 nm厚Cu膜,并在300℃条件下进行原位退火.用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,基于粗糙度方法与分形理论对其量化表征.结果表...
17. Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌和光学性质

作者：吕建国孙兆奇宋学萍

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 71-74

摘要：用原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪观察采用溶胶-凝胶法制备的Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌、透射光谱和光致发光谱.结果表明,Al掺杂量为0.5at 9/6的ZnO薄膜经550℃退...
18. 镀铜玻璃衬底上柱状多晶硅薄膜的制备

作者：侯晓多姜辛张贵锋王丽春

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 75-79,83

摘要：采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜.使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了灯丝与衬底间距(5～10 mm)、灯...
19. SiC热氧化SiO2的红外光谱研究

作者：曹群田晓丽石瑞英龚敏

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 80-83

摘要： SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷,影响SiO2层的质量、SiO2/SiC界面及SiC MOS器件的击穿特性.采用红外光谱技术研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2层,分析...
20. 正弦平方势与一维掺杂超晶格的能带结构

作者：吴燕玲罗晓华罗诗裕邵明珠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 84-86

摘要：引入正弦平方势,在量子力学的框架内,把电子在掺杂超晶格中运动的Schrodinger方程化为Mathieu方程,根据Bloch定理讨论了系统能量分布,并用摄动法求解了方程的低阶不稳定区及其禁...
21. 掺铜TiO2薄膜的制备及结构与光学性能的研究

作者：刘晓艳吴再华高飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 87-89,98

摘要：采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响.结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结...
22. 发光二极管芯片快速检测方法的研究

作者：任红茹刘雪莲李薇杨茹梁琨王文杰韩德俊

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 90-94

摘要：介绍了一种新的发光三极管(LED)芯片的检测方法及应用.该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小...
23. 基于协议的信标快速提取有源实现

作者：叶德茂艾勇陈晶

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 95-98

摘要：针对在强背景或假目标持续干扰的情况下,常规图像处理算法较难实现对信标进行准确快速提取的问题,提出了一种基于握手协议的APT信标快速识别系统,给出了系统的设计原理.提出一种基于图像边缘闭曲线拟...
24. 等离子体环境对卫星光通信系统的影响分析

作者：侯睿吴继礼李勇军胥杰赵尚弘

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 99-103

摘要：为了研究空间等离子体环境对卫星光通信系统的影响,利用等离子体的特征频率,分析了等离子体对激光传输信号的影响,结果表明等离子体对激光信号的衰减很小,可以忽略.进一步分析了等离子体对卫星表面的充...
25. 基于调频调幅方式的光标记网络的传输性能

作者：邓超公

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 104-107

摘要：数值模拟了IP-over-WDM光网络中基于频移键控/幅移键控(FSK/ASK)正交调制的光标记信号/净荷的传输性能.结果表明,ASK净荷的传输同时受到调制器消光比、接收光功率及光纤色散的影...
26. 基于LED的室内无线通信OCDMA实现

作者：仲启端朱娜朱江韩飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 108-111

摘要：基于同时发出三色光的多芯片LED,构建室内光无线通信系统,使用不同颜色的光作为上行和下行链路的传榆载体,实现双向通信.在考虑背景光噪声、接收机噪声的条件下,给出了单用户和多用户时,对采用光正...
27. 脉冲内喇曼散射对光脉冲放大的影响及其抑制

作者：曹文华熊英

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 112-115,120

摘要：研究了超短光脉冲在掺铒光纤放大器(EDFA)中的传输特性.数值结果表明在无喇曼散射影响下,脉冲在输入后的初始阶段能够得到有效的压缩和放大;而在喇曼散射影响时,脉冲发生延迟和超前,且超前脉冲能...
28. 基于非致冷直接调制DFB激光器的10 Gb/s光发射器

作者：秦文红郑晓东

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 116-120

摘要：利用1 300 nm直接调制DFB半导体激光器研制成功了速率为10 Gb/s的小型非致冷光发射器.介绍了发射器的设计原理、实施方案和测试结果.根据光发射器中温度传感器和监测用光电二极管的输出...
29. 点阵显示数据内存地址分区方法

作者：傅瑜刘伟李文生邓春健黄杰勇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 121-126

摘要： LED大屏幕显示器的显示内容直接由显示数据反映,点阵显示数据地址存放和显示器显示内容存在着一定的对应关系,这种关系应用的好坏决定着控制逻辑实现的难易.通过从数据内存的映射地址结构分析构造数据...
30. 基于楔板剪切干涉的高斯光束远场发散角测量

作者：刘秉琦华文深孙东平骆新新

刊名：半导体光电

发表期刊： 2009年1期

页码: 127-130

摘要：为准确、方便地测量高斯光束远场发散角,提出了一种基于楔板剪切干涉的方法:将传统的双向剪切干涉仪进行改装,使能同时测出激光传输路径上两个不同位置处的波前曲率半径,并由曲率半径求出发散角.该方法...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内