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半导体光电2010年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
总被引数（次）
22967
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 光纤传感网络是一种重要的传感网络.将国内外现有光纤气体传感器网络的多址技术归纳为:频分多址、时分多址、波分多址和码分多址等四类.前两类受铌酸锂调制器的消光比及偏振相关性能的制约,且存在无法多...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： LED芯片结温的高低直接影响其出光效率、工作寿命和可靠性.在分析系统各个环节热阻的基础上,详细评述了高功率LED产品从芯片到系统级的热管理研究新动向,包括:自然对流冷却,采用压电风扇、电离方...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 为获得高效率半导体激光器,理论分析并计算了p型波导层四种不同掺杂浓度分布对器件内损耗、串联电阻、阈值电流以及电光转换效率的影响,由此优化了p型波导层的掺杂浓度分布和厚度.根据计算及优化结果,...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD).制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 介绍了非相干耦合技术中波长耦合原理及关键技术,根据波长需要设计耦合器件,自行设计了光学系统对光束进行扩束聚焦,通过实验将808 nm和980 nm两半导体激光迭阵光束通过此技术进行合束,最终...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果.提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本.实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在高真空条件下(3×10~(-4)Pa),利用硫系玻璃(Se,Te,Sb)薄膜封装材料对有机电致发光器件(OLED)进行原位封装,有效避免了传统封装方法难以避免的水、氧危害,以达到延长器件寿...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 基于某型LED模块的实验结果,从热膨胀匹配、冷却技术的选择、发光效率、焊料及硅胶选择等方面对大功率LED的热控制问题进行了优化设计.实验结果表明,优化设计后的大功率LED的转换效率和光通量等...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15 nm)/NPBX(20 nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(5 nm)/CBP:6%Ir(ppy...
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10. 光电组件用元器件质量控制方法探讨刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 光电器件正逐渐成为新一代装备的核心元器件,但光电产品的技术、质量和市场尚待完善.在分析光电行业现状及质量管理现状的基础上,提出了光电组件用元器件选型、采购控制、复验及二次筛选等方面的质量控制...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 从描述F-P型半导体光放大器(FPSOA)中光子与载流子相互作用的行波速率方程出发,利用小信号分析法得到了光腔内部前、后向光场的微扰量的微分方程组,并利用其分析了FPSOA的频率响应特性.计...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在量子密钥分发系统(QKD)中,LiNbO_3波导相位调制器是构成单光子干涉仪的关键器件.文章阐述了LiNbO_3相位调制器的相位调制特性、偏振特性及其对量子密钥分发系统的影响,介绍了退火质...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 持续光电导(PPC)现象是影响Al_xGa_(1-x)N薄膜紫外探测器探测快速变化信号的一个不利因素,它的存在会大大延长探测器的响应时间.文章讨论了晶界对Al_xGa_(1-x)N薄膜紫外探...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 建立了热释电钽酸锂薄膜红外探测器理论模型,用五层薄膜系统模拟了探测器结构,用钽酸锂晶体参数,模拟了探测器结构参数与探测率等性能指标之间的关系,研究了硅衬底厚度和钽酸锂薄膜厚度对探测器性能的影...
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15. 一种低成本FBG高温传感器的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用相位掩模法,利用紫外光在载氢普通掺锗单模石英光纤中制作出光纤布拉格光栅(FBG).同时,将反射率为17 dB的光栅FBGl和反射率为41 dB的光栅FBG2置于30～1 000℃的高温炉...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 提出了智能三坐标测量机视觉系统的在线标定技术.根据摄像机标定的基本原理,利用三坐标测量机沿x、y、z轴移动和正交精度都很高的特点,三坐标测量机带动待标定摄像机产生和白色陶瓷标准球球心(标定特...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用化学共沉淀法合成YAG:Eu~(3+)红色荧光粉,利用XRD、荧光光谱和激光粒度仪等表征荧光粉晶体结构、光致发光、粒径分布等.结果表明,当煅烧温度为1 000℃时,荧光粉YAG晶相趋于稳...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用添加助熔剂(K_2O)的方法,成功制备了近化学计量比钽酸锂晶体,并基于1mol%MgO掺杂的化学计量比钽酸锂晶体周期性畴反转制备光参量振荡器(OPO).通过在晶片表面形成占空比为60%的...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 基于超晶格量子阱的双稳态效应,在经典力学框架内,把粒子的的运动方程化为了具有阻尼项和受迫项的广义摆方程.利用Melnikov方法构造了异宿轨道的Melnikov函数,并根据Melnikov函...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用直反应磁控溅射法在FTO基底上制备了TiO_2薄膜,研究了在不同氧流量条件下TiO_2薄膜的拉曼光谱、表面形貌和透射光谱,并将TiO_2薄膜用N719染料进行敏化,制备了染料敏化太阳电池...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在经清洗后的硅(111)衬底上,分别采用电泳过程中氧化制备CuO薄膜和电泳制备Cu膜后退火氧化制备CuO薄膜.用XRD和SEM对薄膜样品进行了组分、表面形貌等微观结构的分析,发现两种方法制备...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用多种方法对有机聚合物电池的电极进行表面处理,在测量接触角的基础上,应用几何平均法计算了电极样品的表面能和极性度,研究了处理方法对电极表面润湿性能的影响.结果表明,电极表面性能与其处理方法...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPP CCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1 024×1 024可见光MPP CC...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 作为空间光互连系统的发射部分,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性直接影响到光互连系统的稳定性.建立了850 nm VCSEL 4×4阵列的热场数学模型,并利用有限差分法求解热传导...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在无催化剂条件下,采用热蒸发Zn源,以N_2为载气体,在SiO_2衬底上反应沉积制备出单晶氧化锌纳米棒.XRD研究表明纳米棒为结晶完好的纤锌矿结构,并且为非定向生长,非定向生长的氧化锌纳米棒...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 直下式动态三基色LED背光源具有色域广、寿命长、节能环保、对比度高等优势,但许多因素限制了其颜色的表现力.研究了LED波长一致性、背光温度均匀度两个因素对色差的影响,指出为使色差小于人眼所能...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 利用特征矩阵法研究了一维平板光子晶体中电磁波的模式及其带隙结构.推导出一维平板光子晶体中电磁波各个模式满足的条件,计算出TE波和TM波各模式的禁带随模式量子数、平板厚度以及入射角的变化规律....
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 设计了一种新颖结构的双层芯色散补偿光子晶体光纤.此光纤在整个C波段具有高负色散特性.通过合理选取双层芯光纤的外层芯层数,同时优化孔间距和空气孔直径,设计的光纤在C波段的色散值在-520 ps...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 分析了STOOC码字的设计方案及码重、互相关性、系统容量等性能,仿真出几种适合SAC-OCDMA系统码字的多址干扰误码率与并发用户数的关系,结果表明:STOOC码字容量达到了SAC的上限;S...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2010年1期页码:摘要： 在DWDM系统中,当输入光功率足够大时,会产生信道间功率转移的受激喇曼散射(SRS)效应.建立了在"时域分步法"存在衰减、色散"走离"和SRS效应作用条件下的N信道SRS效应计算模型,在此基...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
半导体光电统计分析
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