半导体光电2012年第6期出版文献-钛学术文献服务平台

文献导航

检索期刊

出版文献量（篇）

4307

总下载数（次）

半导体光电

投稿

Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

出版文献量（篇）

4307

总下载数（次）

文章浏览

热门刊内文献

年度刊次

1. InP基环形波导激光器的研究与进展

作者：张世林毛陆虹谢生郭维廉

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 761-766

摘要：光子集成作为未来全光网络发展的必然趋势,是实现高速光通信的重要解决方案。正如硅基集成电路的发展历程一样,找到一种类似晶体管的基本集成单元,并实现光子集成的大多数功能是目前光子集成技术中最迫切...
2. 八通道光子晶体滤波器的设计与仿真

作者：刘文楷李保群武梦龙董小伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 772-774,821

摘要：设计了一种具有高隔离度的八通道光子晶体滤波器,并应用时域有限差分法分析计算了在晶格常数相同的条件下,点缺陷微腔局域频率与光子晶体介质柱半径之间的变化规律。在此基础上,对该八通道滤波器的传输特...
3. PIN四象限探测器输出特性的改进研究

作者：冯世娟冯其张爱华武逶王巍白晨旭

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 775-778

摘要： PIN四象限探测器在应用过程中对其输出一致性的要求很高。文章讨论了影响PIN四象限探测器输出一致性的各种因素,并有针对性地提出了相应的改进措施。通过仿真分析,对PIN器件的各项参数进行了优化...
4. 双层侧向位置敏感探测器的畸变研究

作者：暴敏李田泽盛翠霞赵云凤赵敬赵艳雷

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 779-782

摘要：阐述了半导体光电位置敏感器件双层结构、特点,在此基础上,利用三层前置反馈网络对光电位置敏感器件的空间非线性以及畸变产生的机理进行了分析,尤其是对在位置敏感器件边缘的非线性作了分析研究;提出了...
5. 光纤光栅位移传感器的开发及应用

作者：刘芳张翠戴玉堂甘维兵

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 795-798

摘要：针对全光纤结构健康监测系统中对位移监测的需求,设计了一种基于等强度悬臂梁结构的光纤光栅（FBG）位移传感器,它具有结构简单、测量精度高、温度自补偿等优点。通过对传感器进行标定试验,结果显示其...
6. P型硅衬底异质结太阳电池的优化设计

作者：徐静平汪骏康

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 799-804,808

摘要：采用Afors-het软件模拟分析了结构为TCO/a-Si：H（n）/a-Si：H（i）/c-Si（p）/a-Si：H（p＋）/Ag的p型硅衬底异质结太阳电池的性能,研究了各层厚度、带隙、掺...
7. 掺碳对杂质光伏硅太阳电池性能的影响

作者：余启名洪文钦袁吉仁邓新华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 805-808

摘要：杂质光伏太阳电池是一种能够利用那些能量小于禁带宽度的太阳光子以提高电池转换效率的新型太阳电池。利用数值方法研究在硅电池中掺入碳杂质以形成杂质光伏太阳电池,分析掺碳对电池性能的影响。结果表明：...
8. MOVCD生长GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的暗电流特性

作者：刘卫国胡小英陈智利

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 809-812,816

摘要：用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面积80μm×80μm,内电极压焊点面积...
9. 级联槽型腔表面等离子体滤波器

作者：商科峰郭迎辉闫连山

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 813-816

摘要：提出一种中心波长随槽型腔腔长线性变化、透射率随耦合距离可调的级联腔表面等离子体滤波器。该滤波器由输入波导、两个级联的介质槽型腔和输出波导组成。通过级联两个相同的槽型腔,共振模被分离从而实现窄...
10. 失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长

作者：刘万清周勇周勋莫才平赵志强

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 817-821

摘要：基于延展波长（截止波长2.2μm）InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs（x=0.72）/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作...
11. 射频磁控溅射法制备液晶光阀光导层的研究

作者：李建国王陆一石兵蒋向东

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 822-825,829

摘要：采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜,研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明,薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋...
12. 铝插入层对硅基AlN外延特性的影响

作者：汪莱罗毅胡健楠胡懿彬郝智彪钮浪

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 826-829

摘要：采用等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）研究了Al金属插入层对Si（111）衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外...
13. 冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究

作者：史珺徐进潘淼郑兰花陈朝

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 830-833,841

摘要：研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.5...
14. 可溶性聚吡咯甲烷的荧光特性研究

作者：李宝铭涂兆王攀郑玉婴陈竞芬

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 834-837

摘要：对可溶性聚{（3-丁酰基）吡咯-[2,5-二（对十四烷氧基苯甲烷）]}（PBPDTBA）的荧光特性进行了系统的研究。结果表明,浓度一定时,PBPDTBA在二氯甲烷中具有最大的荧光量子产率0....
15. 谐振腔损耗曲线拟合

作者：李超良邹志勇高爱华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 838-841

摘要：功率谱曲线的半高宽是谐振法测量光学谐振腔腔体损耗的重要参数之一。针对测量的电压曲线存在噪声大、纹波大、波形失真严重等问题,采用扫频激光作为入射光源,利用Labview软件编程对实验数据进行曲...
16. Si衬底上采用溅射Fe/Si纳米多层结构制备β-FeSi_2薄膜

作者：时利涛黄仕华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 846-849

摘要：采用磁控溅射的方法在Si衬底上生长Fe/Si多层膜,退火后形成了硅化物薄膜。利用X射线衍射（XRD）、Raman光谱、原子力显微镜（AFM）研究了Fe/Si膜厚比和退火温度对薄膜结构特性的影...
17. 退火对不同基底上氧化钒薄膜电阻的影响

作者：乔亚张鹏路远

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 850-852,905

摘要：采用直流磁控溅射的方法分别在普通玻璃与硅片上制备了氧化钒薄膜,在大气及真空氛围下分别对样品采取了退火处理,测量了退火前后薄膜的电阻,结合样品的XRD图谱进行了分析。结果表明,在普通玻璃和硅片...
18. 管式PECVD射频功率对氮化硅薄膜性能的影响

作者：任现坤刘鹏姜言森张春艳张黎明徐振华程亮贾河顺马玉英

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 853-855,862

摘要：氮化硅薄膜作为传统的晶体硅太阳电池钝化减反膜,其性能的变化直接影响电池的转化效率。通过改变管式PECVD的射频功率,制备了不同膜厚和折射率的氮化硅薄膜,并分别进行了薄膜致密性以及硅片镀膜后少...
19. 溶胶-凝胶法制备Co,Cu共掺杂ZnO薄膜结构及光学特性

作者：吴忠浩张丽徐明苗峰袁欢赵林黄勤珍

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 856-862

摘要：采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了纯ZnO薄膜和高浓度Cu掺杂的Co,Cu共掺ZnO（Zn0.90CoxCu0.1-xO,x=0.01,0.03,0.05）薄膜。扫描电镜观察到无论是纯ZnO...
20. 2.5 Gb/s宽动态范围光接收机前端放大电路设计

作者：张世林杨纯璞毛陆虹陈燕

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 863-865,874

摘要：基于UMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种2Gb/s传输速率的宽动态范围光接收机前端放大电路。采用对数放大器来增大接收机的输入动态范围,前置放大器采用差分共源跨阻放大器,并使用有源电...
21. 应用并行MZM降低光载OFDM系统的非线性失真

作者：叶志清王芳陈勇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 866-870,878

摘要：针对传统马赫-曾德尔调制器（MZM）在光载正交频分复用（OFDM）系统中的非线性失真问题,提出了一种新的并行MZM结构,该结构由主调制器和起补偿作用的子调制器组成。理论分析与仿真表明：通过设...
22. 星上TDICCD相机成像工作模式的配置与管理

作者：刘妍妍张瑜李国宁杨晓慧

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 879-881,885

摘要：为了解决星上TDI CCD相机成像工作模式较多、工作模式切换时间较长、配置效率较低等问题,提出了一种高效、可靠的成像工作模式配置和管理方法。首先,分析了星上TDI CCD相机成像单元的内部结...
23. 同步轨道目标的单帧检测方法

作者：陈海宁

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 882-885

摘要：光电望远镜监测同步轨道目标时,一般采用凝视目标和凝视恒星两种工作模式,在这两种工作模式下,由于恒星和目标相对地球运动速度不同,它们在CCD上成像会有所差别,即圆形小目标和短划线。文章针对它们...
24. 基于PCI Express的高速光纤图像传输板卡的实现

作者：刘坤周维超陈利杰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 886-890,895

摘要：高速接口技术目前采用较多的是PCI Express总线。文章基于工程实现需要,采用Xilinx的V5系列FPGA中的PCI Express IP核,完成了基于FPGA的PCI Express...
25. 基于视觉对比度分辨率的红外图像增强算法

作者：代少升刘永朋

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 891-895

摘要：针对传统红外图像增强方法存在增强后目标边缘模糊及背景噪声过增强的缺陷,结合人眼视觉特性,提出了基于视觉对比度分辨率的非线性变换算法。该算法根据人类视觉在不同背景灰度下分辨目标的能力不同,自适...
26. 太阳能热光伏系统实验研究

作者：宣益民张梦炎陈雪

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 896-901

摘要：对太阳能热光伏系统（STPV）进行了全面的实验研究,对系统组成装置即聚光器、辐射器、滤波器、电池、散热器等进行了合理的选型及加工;设计了系统中热光伏转换器的整体结构,并进行实验搭建,结合自动...
27. DSP与FPGA的SRIO互连设计

作者：俞健刘坤周维超

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 902-905

摘要：在DSP＋FPGA的高速图像处理系统中,针对系统数据量大、运算复杂的特点,提出了一种基于SRIO协议的DSP与FPGA处理器互连,并进一步使用FPGA中的MPMC控制器连接DDR2SDRAM...
28. 一种反激式LED恒流驱动电路的设计与实现

作者：倪永宏陈景忠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 906-909

摘要：设计了一种输出功率达120W的反激式变换LED恒流驱动电路,其输出电压范围为33～37V,可为120只功率为1W的LED管采用10串12并混联方式组成的LED阵列提供驱动电流。对其功率因数校...
29. 光笔式三坐标视觉测量系统的多点透视模型

作者：张弛黄风山

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 910-913

摘要：为了提高光笔式三坐标视觉测量的正确性和有效性,对其多点透视模型进行了研究。以经典的＂N点透视问题＂理论为依据,将世界坐标系的原点巧妙地构建在光笔笔尖处,使坐标测量变为传统的摄像机外部参数标定...
30. 红外焦平面阵列探测器空间采样效应模拟

作者：周绍磊王学伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年6期

页码: 914-916

摘要：红外焦平面阵列探测器空间采样效应会对红外图像效果产生影响,为提高仿真红外图像的置信度,在信号注入仿真中需要对采样效应进行模拟。通过深入分析空间采样效应机理,建立了采样效应的数学模型,分析了分...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内