失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长

• 作者: 刘万清 周勇 周勋 莫才平 赵志强
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs 失配异质结构 MOCVD 梯度渐变InAlAs缓冲层
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 817-821
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文

摘要

基于延展波长（截止波长2.2μm）InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs（x=0.72）/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵志强	重庆邮电大学生物医学工程研究中心	22	197	7.0	13.0
2	周勋		21	79	5.0	8.0
3	莫才平		4	29	1.0	4.0
4	周勇		14	49	4.0	6.0
5	刘万清		4	21	2.0	4.0