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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 近20年来,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件具有电气性能和热性能等方面的优势,正在成为硅器件的强力替代品.业界成功研制出SiC MOSFET、GaN HEMT等先进器件,已在能源...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔.平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件.在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义.针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 与传统硅基器件相比,氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件具有更快的开关速度,更小的开关损耗并且无反向恢复损耗,这使得氮化镓器件在高频和高功率密度应用场合具有突出优势.高频工...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标.目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electric...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述.相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 在新能源汽车行业的发展过程中,新型半导体SiC的应用为电机控制器功率密度的提升带来了可能性.为进一步提升系统的功率密度和控制性能,研究了一种基于DSP的软件旋变-数字变换器RDC(resol...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 提出了一种适用于高频场合下氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件的过流保护电路.该保护电路在高达几百千赫甚至兆赫的开关频率下,通过检测氮化镓功率器件的漏-源电压实现对过流故障...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展.Si IGBT/SiC M...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 高频感应焊机可用于钢管直缝焊接,主要特点为开关频率高和设备功率大,功率器件为硅MOSFET和硅快恢复二极管.由于硅基功率器件的特性限制,高频感应焊机的效率、容量和成本受到了一定制约.随着碳化...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是限制新能源汽车可靠性和成本的关键因素.结温监测能够提升IGBT功率模块的功率密度,提高系统可...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 针对传统Z源DC/DC变换器存在的输入电流不连续、输出电压增益不够高和功率器件电压应力较高等不足,利用开关电感和开关电容技术,提出了一种混合开关高增益DC/DC变换器.该变换器主电路中只用到...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 目前大量文献对三端口直流变换器的软开关特性进行了相关研究,但大多是基于软开关的近似模型进行分析,分析结果存在较大的误差.首先介绍了基于端口之间单移相调制的变换器工作原理,并简化电路建立等效模...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 为了使BDC的交错并联磁集成技术与ZVS技术更好地结合来提高变换器的工作效率,研究了四通道交错并联磁集成双向DC/DC变换器在DCM模式下的实现条件以及模态分布,进一步了解变换器在DCM模式...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 通过搭建单管效率仿真模型,从功率损耗角度分析SiC MOSFET相较Si MOSFET的优势.此后结合Ansoft Maxwell有限元分析,建立了适用于给定工况下效率仿真的变压器等效模型....
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源.氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 针对传统LED驱动电源谐振控制方法电路控制谐波异常导致输出电流过冲、电压稳定控制效果差和时延高等问题,提出了临界连续模式下高功率LED驱动电源谐振控制方法.结合PFC和LLC半桥两种方式,控...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 提出了一种基于无源均流的单开关降压式四路输出LED驱动器,并分析了其工作原理及特性.该驱动器利用多电容电路结构实现了每个LED支路的均流,因此仅需控制其中一条输出支路的电流,即可实现对其他支...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 级联H桥CHB(cascaded H-bridge)光伏并网逆变器采用独立的最大功率点跟踪MPPT(maximum po-wer point tracking)控制可以有效地提高对太阳能的利...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 提出了一种将光伏组件与储能电池有机结合构成光伏-储能单元,并在光储单元基础上组成规模可灵活配置和扩展的光伏储能系统的方法.该方法对于太阳能无人机、飞艇等对容量利用率、可靠性要求高且光照分布不...
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22. 储能联合发电机组调频经济效益分析刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 近年来,国内电网电源结构发生了巨大变化,风电及光伏发电等大功率新能源并入电网.在利用可再生能源的同时,由于其电网不友好特性,对火力发电机组灵活性要求逐步提高.从储能电池系统联合火电机组对电网...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 为改善10 kV配网侧电能质量,针对传统UPQC与DVR对电压暂降具有补偿深度不够、补偿时间不长等不足,提出了将超级电容储能与模块化多电平变换器拓扑结构相结合,形成并联型模块化级联超级电容储...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 电网电压不平衡下,星形级联H桥STATCOM的三相直流电压通常被控制为相等.然而,为了应对电网的负序电压,三相调制波会变得不平衡.不平衡的调制波会减少STATCOM输出电压的阶梯数,同时还会...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 基于串联结构的模块化组合变换器在中、高压输入电源中得到广泛采用,但是这类变换器中众多子模块的控制都需要高压电气隔离,这对控制系统的设计提出了较高要求.因此,基于两级式控制系统,设计了一种分组...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 针对高频电源变换技术的需求,分析了高频工作条件下,铜箔绕组的交流阻抗、结构参数和绕制方式对平面变压器损耗的影响,研究了并联绕组结构的损耗特征及影响因素.根据研究和仿真分析结果,提出了高频工作...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作.但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象,业界一直以进一步发挥...
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刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术.通过分析半导体GaN功率开关器件的导通电阻与击穿电压关系、空穴电流与栅极电流...
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29. 谈我国大功率低频电源的发展刊名： 电源学报发表期刊： 2020年4期页码:摘要： 首先分析了冶金矿热炉行业熔炼直接工频供电的缺点,经计算阐明低频供电,具有提高功率因数、保证三相平衡和实现较大节能的效果.在回顾了我国大功率低频电源发展历史的基础上,全面地介绍了低频电源的研究...
电源学报基本信息
| 刊名 | 电源学报 | 主编 | 韩家新 |
| 曾用名 | 电源技术学报(2002-2010) | ||
| 主办单位 | 中国电源学会国家海洋技术中心 | 主管单位 | 国家海洋局 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 2095-2805 | CN | 12-1420/TM |
| 邮编 | 300110 | 电子邮箱 | dianyuan@126.com |
| 电话 | 022-27686327 | 网址 | www.jops.cn |
| 地址 | 天津市南开区黄河道467号大通大厦16层 |
电源学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中文核心期刊 |
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