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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
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总被引数（次）
9543
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  • 1. 聚四氟乙烯覆铜板发展概况
    作者： 刘建军 李苗 程明生 邹嘉佳
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  1-4,25
    摘要： 聚四氟乙烯(PTFE)覆铜板以其优异的介电性能和化学稳定性而被广泛应用于高频微波电路,成为通信领域不可缺少的材料之一.根据国内外市场上的PTFE覆铜板产品,将PTFE覆铜板归纳为玻纤增强型和...
  • 2. LTCC带通滤波器中心频率偏移的优化
    作者： 李俊 王亮 贾少雄 钱超 陈晓勇
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  5-7,16
    摘要： 针对某型号LTCC带通滤波器产品中心频率往低频方向偏移了约50 MHz的问题展开研究.根据中心频率公式推测出可能导致中心频率偏移的工艺指标为电感线宽精度、介质层厚度、层间对位精度.对滤波器样...
  • 3. 安捷伦高频阻抗测试仪表E4982A测控技术应用
    作者： 唐明津 胡义平 邓长开
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  8-11
    摘要： 当前半导体车间高频阻抗测试平台大多是多年前由国外设计开发,平台系统老旧落后,测试仪表已停产多年,亟需升级换代.简单介绍了安捷伦最新型的阻抗仪表E4982A与吉时利2410数字电源表以及高频阻...
  • 4. 基于ATE的ADSP测试
    作者： 奚留华 张凯虹 武乾文
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  12-16
    摘要： 随着集成电路技术的飞速发展,ADSP的应用越来越广泛,其测试技术得到广泛的重视及研究.简要介绍了ADSP的重要组成部分,提出一种ATE对ADSP测试的方法.ADSP的测试包括功能测试、直流参...
  • 5. 一款12 Bit 1 GS/s射频采样的流水线模数转换器设计
    作者： 史帅帅 唐鹤 张波 武锦 王卓
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  17-21
    摘要： 文章基于40 nm CMOS工艺设计一款12 Bit 1 GS/s射频采样的无采样保持放大电路的流水线ADC.首级采用了开关电容比较器结构提高了无采样保持放大电路带来的输入到Sub-ADC和...
  • 6. 0.25μm CMOS新型过温保护电路的设计
    作者： 葛兴杰 陆锋
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  22-25
    摘要： 采用CSMC 0.25μm工艺,设计了一种新型结构的过温保护电路,该电路利用正温系数电流电路和共源共栅电流镜产生一个高灵敏度的电压信号,通过CMOS施密特触发器产生控制信号控制芯片的通断,起...
  • 7. 基于国产化器件的DRFM设计
    作者： 王明君
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  26-28,37
    摘要： 在雷达电子对抗领域,基于数字射频存储器(DRFM)的雷达干扰系统方案因为具有可靠性高、假目标样式灵活且逼真度高等特点而被广泛采用.设计了一种宽带DRFM设备,性能指标达到预期,可满足大部分应...
  • 8. 技术成熟度评估在进口替代电子材料开发中的应用
    作者： 管美章 范晓春 赵丹 邹嘉佳
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  29-32,41
    摘要： 根据电子材料的技术特点对在国外进口替代电子材料开发过程的技术成熟度等级进行了重定义.分析了电子材料技术成熟度与电子装备成熟度之间的关系,并使用基于CTE权重的技术成熟度评价方法,以微波复合介...
  • 9. 二极管光生电流影响因素的仿真研究
    作者： 刘承芳 夏云 孙鹏 左慧玲 陈万军 高吴昊
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  33-37
    摘要： 通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境,对二极管的光辐照响应进行了仿真研究.首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数,然后对光吸收的概念进行了解释并详细说明了如何在仿真...
  • 10. 短沟MOS器件GIDL漏电的改善
    作者： 洪根深 赵文彬 陈天 顾祥
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  38-41
    摘要： 随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈.研究了相关工艺对器件GID...
  • 11. C波段400 W GaN内匹配功率管研制
    作者： 刘柱 唐世军 徐永刚 汤茗凯 陈晓青 陈韬 顾黎明
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  42-44,48
    摘要： 基于AlGaN/GaN HEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、...
  • 12. 军工电子实施MES的制约要素与解决策略
    作者： 于永洲 孙光峤 林罡 祁玉发 黄念宁
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年6期
    页码:  45-48
    摘要： 针对国内军工电子行业的生产和信息化管理现状,分析了当前国内军工电子行业的生产管理特点并提炼了军工电子生产执行系统(Manufacturing Execution System,MES)实施的...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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