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人工晶体学报2004年第2期出版文献

出版文献量（篇）

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人工晶体学报

投稿

Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. CLBO晶体生长与紫外倍频性能研究

作者：孙同庆林林沈光球沈德忠王晓青鲁向阳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 133-136

摘要： CLBO晶体是一种性能优良的新型激光紫外倍频晶体材料,本文采用改进的顶部籽晶法生长出大尺寸、高光学质量的CLBO晶体.用尺寸为6mm×5mm×10mm的CLBO四倍频样品测量了晶体对Nd:Y...
2. 垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体

作者：介万奇张龙李国强谷智

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 137-140

摘要：在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证.与传统垂直...
3. 新型中、远红外波段非线性光学晶体磷化锗锌

作者：张建杨春晖

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 141-143

摘要：中、远红外波段黄铜矿类半导体晶体磷化锗锌(ZnGeP2,ZGP)非线性系数、热导率、光损伤阈值高,在中、远红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,特别是其非线性系数是KDP的160倍,是已知...
4. 从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化

作者：任慧智孙建张晓丹朱锋耿新华赵颖魏长春

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 152-155

摘要：采用RF-PECVD方法,在P-a-SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P...
5. 氙离子注入氯化钾和溴化钾晶体光谱特性

作者：吴艳茹宋翠英顾洪恩

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 156-158

摘要：用36keV氙离子注入,有效地使氯化钾和溴化钾晶体着色.在室温下,对着色晶体进行系统光谱分析.在着色晶体中,观测到大量F、R、M和未知色心,并给出色心生成与转化机理.用解谱的方法,分别从着色...
6. 硼碳氮纳米管的溶剂热法制备及其表征

作者：曹传宝朱鹤孙翟华嶂邱海林黄福林

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 168-172

摘要：以无水CH3CN*BCl3和Li3N为原料,以苯为溶剂,在温度为330℃,压力为8～9MPa条件下,利用溶剂热合成方法成功地制备出了BCN三元化合物.X射线粉末衍射(XRD)分析表明,产物为...
7. Kerr非线性对一维光子晶体中场分布的调制

作者：刘念华徐旭明

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 173-176

摘要：本文研究Kerr非线性对一维光子晶体中场分布的影响.计算光子晶体中加入Kerr非线性材料后,入射光强及频率对光子晶体中场分布形态的调制.当入射光强较小时,场分布的节点个数随光量子阱中束缚态频...
8. 铌酸锂晶体高温拉曼光谱研究

作者：仇怀利尤静林殷绍唐王爱华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 177-179

摘要：采用高温拉曼光谱法,对铌酸锂晶体高温下的结构特征进行了研究.结果显示,室温下较强的拉曼振动模式主要是由[NbO6]八面体的振动所引起的;随着温度升高,频率减小,谱峰位置向低波数方向移动,可观...
9. 碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

作者：唐世红朱世富李含冬王瑞林赵北君韦永林高德友魏昭荣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 180-183

摘要：本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对...
10. Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长及其光学性能的研究

作者：周玉祥张建徐玉恒荣宪伟赵朝中

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 184-188

摘要：在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3,以Czochralski技术生长Zn(7mol%):Fe(0.03%):LiNbO3,Zn(3mol%):Fe(0.03%):LiNbO3和Fe(0....
11. CdZnTe晶体的缺陷能级分析

作者：唐世红朱世富李含东王瑞林赵北君韦永林高德友魏昭荣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 189-191

摘要：通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱...
12. 溶液法生长氘化磷酸二氢铵(DADP)晶体及其性能研究

作者：庄欣欣李国辉李征东苏根博贺友平

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 192-196

摘要：使用优级纯的NH4H2PO4(含量＞99.5%)和重水(纯度＞99.5%)为原料,在重水中经过三次氘化重结晶,获得含氘量＞95%的结晶原料.上述DADP晶体作为原料配成1000ml的饱和溶液...
13. Mg:In:Er:LiNbO3晶体生长及波导基片光损伤的研究

作者：周玉祥张建徐玉恒郭亚军

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 197-200

摘要：在LiNbO3中掺进MgO,In2O3,Er2O3以Czochralski技术系统生长了Mg(3mol%):In(1mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(2...
14. 以乙醇为氧源生长ZnO薄膜中温度对光谱影响的研究

作者：于永芹尉吉勇朱宝富李宪林秦晓燕黄柏标

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 201-204

摘要：本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜...
15. Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究

作者：王增梅祁海峰袁多荣魏爱俭

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 205-208

摘要：本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体...
16. 水热法合成掺钛蓝宝石微晶

作者：张华伟李志强王立明窦军红葛世艳董国义韦志仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 209-212

摘要：采用水热法,在430℃、40MPa的压力下合成出了纯刚玉晶体.在相同的条件下,通过掺入Ti(OH)4合成了掺钛刚玉晶体.掺Ti刚玉晶体具有较为复杂的形状,只有少数晶体呈现六棱柱形,多数晶体呈...
17. 温梯法Ce:YAG闪烁晶体的宏观缺陷观察

作者：介明印何晓明周圣明徐军曾雄辉赵广军

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 213-216

摘要：采用温度梯度法(TGT)成功生长了直径为76mm高光学质量的Ce:YAG高温闪烁晶体,采用偏光显微镜研究了Ce:YAG闪烁晶体中的主要宏观缺陷,观察到了生长条纹、侧心、气泡、包裹物以及应力双...
18. 勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟

作者：宇慧平张峰翊王学锋隋允康

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 217-222

摘要：本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场...
19. 影响生长大尺寸和高质量β-BBO晶体的因素

作者：江爱栋王国富陈伟

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 227-230

摘要：本文讨论顶部籽晶法各种生长条件对大尺寸、高质量β-BaB2O4晶体的影响,诸如助熔剂、温度梯度、晶体转速、降温速率、籽晶方向等晶体生长工艺参数.采用NaF作为助熔剂、[001]向的定向籽晶、...
20. AgGaS2晶体生长成核研究

作者：刘娟刘敏文张伟张建军朱世富李一春王瑞林赵北君陈宝军

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 231-234

摘要：本文在对红外非线性光学材料AgGaS2的DTA谱线进行分析的基础上,对AgGaS2的结晶习性进行了研究.对传统的Bridgman-Stockbarger法进行了改进,设计出新的三温区立式炉,...
21. CVD法生长ZnSe的工艺分析

作者：张力强方珍意王向阳肖红涛蔡以超

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 235-237

摘要：采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和...
22. 工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

作者：东艳苹张力强方珍意李卫杨曜源王向阳田鸿昌肖红涛蔡以超郝永亮

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 238-240

摘要：本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基...
23. 大尺寸金红石(TiO2)单晶体生长条件的实验研究

作者：修稚萌孙旭东曹忠杰毕孝国肖继田赵洪生郭国有

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 244-249

摘要：采用高纯(99.995%)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体.讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对...
24. MgO晶须的物相组成和微观形貌多样性

作者：孙加林张海军杨道媛贾晓林郭新荣钟香崇

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 250-253

摘要：采用适当MgO-Al比例物料,压制成型后放入气氛炉中于1500℃烧制6h,最终在样块表面得到 MgO晶须.晶须的物相组成为方镁石,显微结构研究表明多数呈细长的柱状,顶端尖锐,长约600～80...
25. NH4H2PO4晶体反铁电相的对称性及序参量

作者：蔡玉平韩代朝马素敏

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 254-257

摘要：在反铁电晶体NH4H2PO4(ADP)顺电反铁电相变中,对称性所属点群也随之发生相应的改变.通过对实验结果的分析,我们认为NH4H2PO4(ADP)晶体反铁电相对称性所属点群为P2(C2)....
26. 几种有机、无机晶体相对灵敏度和时间特性测量实验

作者：何锡钧冯春彭太平李恩平杨高照郭洪生

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 258-261

摘要：在进行中子/γ粒子测量时,一般采用致电离辐射探测器进行测量.闪烁体作为致电离辐射探测器的重要组成部分,需对闪烁体的特性进行实验测量.本文总结了在СГС-67型三通道γ加速器和DPF中子源上进...
27. KDP(KD*P)晶体结构研究进展

作者：孙洵张建秀房昌水李义平李云南王圣来王坤鹏王波顾庆天

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 262-265

摘要：本文回顾了70多年来人们对KDP(KD*P)晶体结构的研究成果,尤其对近年来在晶体表面界面结构、氢键结构等方面所取得的重大突破进行了综述,并力图强调晶体性能对结构的依赖关系.KDP晶体的表面...
28. 闪烁发光与闪烁晶体研究动态

作者：刘燕行臧竞存

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 266-271

摘要：闪烁体用于X射线和γ射线等高能粒子探测,在核医学、高能物理、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域有着广泛的应用.本文综述了闪烁体的特征,射线与物质的相互作用,卤化物闪烁体,氧化物闪烁体以及高温...
29. 烧结多晶钻石的压力、温度与压力场、温度场

作者：刘光海王德新王福泉郑振凯陈祥安

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 272-277

摘要：本文根据钻石自体烧结、生成碳化物烧结、扫越催化再结晶方式与石墨一次生长多晶钻石四种不同方法的烧结机制,论述了相应的压力场、温场及压力温度工艺条件.
30. 金刚石薄膜涂层刀具的破损机理研究

作者：姚英学袁哲俊许立福黄树涛

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2004年2期

页码: 278-281

摘要：切削过程中金刚石薄膜从基体表面的破损剥落是金刚石薄膜涂层刀具的一种主要损坏形式.本文通过实验研究了金刚石薄膜涂层刀具的破损机理及刀具表面状态、切削用量对其损坏形式的影响.研究结果表明,较大的...

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱