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微纳电子技术2005年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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22
总被引数（次）
16974
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1. 晶体管的新概念刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 简要介绍了几种晶体管,包括柔性晶体管、单原子晶体管、单电子晶体管、单自旋晶体管、量子力学晶体管、谐振隧穿晶体管、薄膜晶体管、透明晶体管和纳米晶体管的新概念.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 介绍了纳米量级PEBBLE传感器的特点、制备方法、当前的应用及发展趋势,重点阐述了基于对细胞内氧成分探测的比例参量PEBBLE传感器.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变Si器件应用中存在的问题并对应变Si技术的市场应用前景作了简单的介绍.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 分析了日本纳米科技专利的数量与领域的分布情况,介绍了日本产业界发展纳米科技的现状,为我国纳米科技研究工作者提供借鉴.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 重点研究了由CdO-SnO2-WO3系列(简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7,CdSnO3,CdWO4)...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 详细研究了HA(竹红菌甲素)在分子筛MCM-41中的光谱特性.观察到HA在强激光脉冲激发下产生了双光子吸收,指认长波荧光发射带为激发态质子转移荧光.结果表明,只有在强光作用下才会发生激发态质...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 利用MEMS工艺制作了一种双层悬空结构的圆形射频微电感,研究了双层结构微电感中微带线宽度对其性能的影响.研究表明,双层悬空结构的圆形射频微电感不仅具有较大的电感量,而且其Q值也较高;双层微电...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 在玻璃上刻蚀凹槽作为腔体,是半导体制造工艺中一个新方法.本文讨论了玻璃湿法腐蚀的工艺方法,通过清洗、涂胶、光刻、腐蚀等工艺的反复实验,分析了涂胶厚度与甩胶速率的关系,腐蚀深度随腐蚀时间的变化...
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9. 纳米颗粒的测量与表征刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 介绍了用于纳米颗粒测量的电镜观察法、X射线衍射线宽法、激光粒度分析法、比表面积法、颗粒沉降法、扫描探针显微术以及小角X射线散射等,并对其测量原理、测量过程、适用范围及测量方法的优缺点进行了讨...
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10. 掩模硅片自动对准误差校正算法刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 为了改善对准精度,对100 nm级线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴离轴混合对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中.掩模硅片自动对准算法决定机器坐标系、掩模坐标系、硅片...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年1期页码:摘要：
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12. 介观系统中的电导量子化刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 对介观系统电子输运性质的研究是当前凝聚态物理研究中的活跃领域.介观尺度下,由于量子力学效应,出现了一些特殊的物理现象,如电导量子化.本文从理论和实验两方面对介观输运领域的研究情况作了简要回顾...
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13. 碳纳米管FET的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 对碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的器件性能进行了讨论,并与相应的Si器件进行了比较,结果表明CNTFET对迄今传统器件具有非常竞争力;阐述了利用CNT器件制作的逻辑门电路,显示了CNT...
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14. 一种新型的微流体测量芯片的设计刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了一种新型的集成反熔丝和光敏二极管的微流体测量芯片的设计.将反熔丝发光二极管及光敏接收二极管集成到微流体装置可以通过结合集成电路技术和微加工技术来实现.这种新型的微流体芯片包括一个光敏二...
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15. SnS薄膜的制备及其特性研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜.用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征.XRD分析结果表明...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 适量Fe3+掺杂可以提高TiO2薄膜电极的光催化氧化活性.采用交流阻抗谱、平带电势等方法研究了掺杂Fe3+的纳米TiO2薄膜电极的表面结构特征及其催化性能,为其光电转换机理提供了电化学依据.
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17. MEMS中的牺牲层技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： MEMS技术作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展.牺牲层技术是MEMS应用中的关键,用以实现结构悬空和机械可动.本文介绍了MEMS技术发展中的几种牺牲层技术,并进行了简要评述...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 用解析的方法对典型的基于SUMMIT工艺、静电活塞式驱动的分立式微镜进行了快速的静态与动态仿真,避免了有限元法的繁琐性.在微镜阵列变形时的孔径函数不能用解析表达式表示的情况下,应用MATLA...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在对整体式柔性运动机构分析的基础上,提出了一种能够消除多维微运动机构间耦合误差的整体式微米级运动机构,并借助Ansys的分析工具对研究结果进行了静力学分析及其优化.在此基础上开发出一个整体式...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： BP-212正性光刻胶作为掩膜在BHF腐蚀液中腐蚀十几分钟后,光刻胶被腐蚀液破坏而浮胶.玻璃或热生长的二氧化硅深槽腐蚀时间要求几十分钟,传统解决办法是多次光刻腐蚀.本文研究了光刻胶抗腐蚀特性...
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21. 低k绝缘层及其设备刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 铜互连、金属间低k绝缘层(k＜3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺.本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态和当前几种常用低k绝缘层材料,如FOx低k旋涂材料、黑金...
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22. 中国科技大学成果入选国际物理学年度十大进展;南京大学合成纳米分子磁体;"系统芯片的设计方法及其电子设计自动化关键技术研究"验收会在京召开;道康宁推出新型导热灌封胶设备联盟成员协助开发完整点胶流程刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在许多领域内,对微小物体的操纵一直都是极富挑战性的课题.这类技术以其在对微/纳米器件或生物学对象进行操作、加工、表征、装配及测试中的关键作用,正成为微/纳米技术尤其是微自动化领域中的一个极为...
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25. 崛起的纳米科学刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 主要概述了纳米电子学、纳米物理学、纳米生物学、纳米光学、纳米光电子学、纳米机械学及纳米显微学等的发展及应用.
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26. 单电子晶体管全加器电路设计刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD)单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD单元即22个SET构成的全加器电路...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 用AFM和XRD研究在MgO和STO基片上外延生长2～200nm的YBCO高温超导薄膜的生长机制.采用倒筒式直流溅射装置,首次实现单轴驱动双轴旋转技术,本质上实现同时在MgO基片和STO基片...
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28. 合成GaN粗晶体棒的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜.然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒.直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道...
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29. 三维光子晶体的研制进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了美国桑迪亚国家实验室和美国依阿华州立大学的研究小组等研究机构的科学家们近年来研制三维光子晶体的方法和进展.阐明了具有多层结构的三维光子晶体的应用前景.
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30. 一种新型可调谐光栅的制作工艺刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 基于MEMS工艺,用硅橡胶制作了光栅常数可变型光栅,可用于光学MEMS器件中的关键部件,给出了可调谐光栅的详细制作工艺.经ANSYS对硅橡胶衬底光栅的弹性模量动态模拟,结果显示本光栅具有良好...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
微纳电子技术统计分析
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