微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 孙同年 孙聂枫 赵有文
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  559-567
    摘要: 综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作.讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(...
  • 作者: 任敏 张磊 胡九宁 董浩 邓宁 陈培毅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  568-572
    摘要: 提出了在纳米赝自旋阀中的电流感应自旋传输矩的磁动力学描述,成功地解释了在磁纳米多层结构中的电流驱动微波发射和电流感应磁化翻转现象.自旋流极化由在电导匹配时的自旋流和化学势连续性边界条件决定....
  • 作者: 冯彬 刘忠山 刘英坤 孙艳玲 崔占东 段雪 胡顺欣 董四华 郎秀兰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  573-576
    摘要: 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理.研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺.通...
  • 作者: 严向阳 唐晓琦 淮永进
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  577-579,585
    摘要: 通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构.讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMO...
  • 作者: 徐彦宾 戴瑛 朱先俊 李少英 许璞 高善民 黄柏标
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  580-585
    摘要: 以TiCl4为原料,采用水解沉淀法,并在空气气氛下于不同温度煅烧2 h,制备得到纳米TiO2.采用XRD、TEM及UV-Vis对样品进行表征.在卤钨灯照射下,研究了不同煅烧温度、不同pH值以...
  • 作者: 刘延春 李子军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  586-589
    摘要: 为突出双声子相互作用对磁场内量子点中极化子的影响,简化了理论模型,把库仑势对电子质量的影响用电子在能带中的质量来代替.使用线性组合算符和么正变换对系统进行理论计算,导出了半导体量子点中磁极化...
  • 作者: 张文飞 谌小斑 贺英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  590-596,600
    摘要: 介绍了氧化锌(ZnO)纳米线(NW)的性质,总结了ZnO NW的气相法、液相法、模板生长法、自组装法等制备原理和方法,详细阐述了ZnO NW基光电、压敏和气敏等纳米器件的研究现状,如在发光二...
  • 作者: 毋正伟 王军波 陈德勇 高振宁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  597-600
    摘要: 利用微电子机械加工技术成功研制出电磁激励一电磁拾振硅谐振梁式压力传感器.传感器以"H"型双端固支梁为谐振器,采用差分检测结构.工艺制作采用体硅加工工艺,并且采用一种减小封装应力的结构完成压力...
  • 作者: 朱嘉林 李永刚 李炜
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  601-605
    摘要: 针对目前声表面波(SAW)传感器检测电路的缺点,通过对SAW传感器信号的特征分析,设计了一种简单实用的SAW传感器检测电路,降低了硬件成本.该电路利用直接数字频率合成技术产生不同的频率信号,...
  • 作者: 戎瑞芬 江素华 汪荣昌 王家楫 邵丙铣 陈扬文 顾志光
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  606-610
    摘要: 研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺.采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅...
  • 作者: 刘玉岭 唐文栋 宁培桓 田军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  611-614,618
    摘要: 阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用.使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对...
  • 作者: 杨广华 牛萍娟 王伟 黄春红
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  615-618
    摘要: 基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35 μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件.在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75 V,反向击...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  619-620
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年10期
    页码:  封底
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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