InP中的深能级杂质与缺陷

• 作者: 孙同年 孙聂枫 赵有文
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化锢 深能级 杂质 缺陷 退火 电学补偿 半绝缘 晶体
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 559-567
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.23|O474
• 字数: 9277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.10.001

摘要

综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作.讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的方法在研究InP时的某些特点;综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关;分析了对掺铁和非掺退火两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响;评述了对InP中的一些深中心所取得的研究成果和半绝缘InP的形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	孙聂枫		8	24	3.0	4.0
3	孙同年		2	8	2.0	2.0