微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 任敏 张磊 胡九宁 邓宁 陈培毅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  125-130,157
    摘要: 回顾了纳米磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋渡发射等新量子效应的研究现状及发展.基于该效应的纳米磁多层微波振荡器件具有结构简单、无须外加磁场、容易集成等特点,在现...
  • 作者: 任勇峰 杨倩 沈三民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  131-135
    摘要: 简要介绍了RTD(共振隧穿二极管)的微分负阻特性及其等效电路,通过对实际AlAs/InxGa1-xAs/GaAs双势垒共振隧穿结构,I-V曲线拟合,得出RTD的Pspice等效电路模型参数....
  • 作者: 尹顺政 李献杰 赵永林 齐利芳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  136-139
    摘要: 在量子阱红外探测器(QWIP)上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效耦合.从实验、测试和有关文献出发,探讨了影响其耦合效率的参数及参数的优化值.重点分析了双色QWIP的光栅设计问题,...
  • 作者: 于英霞 刘岩 吴胜龙 张宪敏 李惠军 赵守磊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  140-144
    摘要: 介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及...
  • 作者: 乔青安 唐荣 曹沛森 毛伟鹏 王玉宝 许璞 高善民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  145-152
    摘要: 对纳米TiO2的光催化反应机理及制备方法做了简要阐述,重点介绍了目前在纳米TiO2掺杂改性方面,尤其是非金属掺杂和共掺杂改性方面的研究进展.氮掺杂的TiO2是新发现的具有可见光催化活性的复合...
  • 作者: 刘一兵 刘国华 黄新民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  153-157
    摘要: 介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)、衬底材料的选择及缓冲层技术;分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主...
  • 作者: 张文栋 熊继军 王志刚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  158-161
    摘要: 介绍了一种基于高场非对称波形离子迁移谱技术的生化检测方法,它根据各种离子在高电场中迁移率变化不同的特性实现对各种生化物质进行检测.经过理论计算,分析了高场非对称波形离子迁移谱仪的基本原理,推...
  • 作者: 王辉静
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  162-165
    摘要: 简要阐述了以MEMS加工技术制备柔性仿壁虎微米阵列的方法,进行实验装置以及实验方法的设计,利用所设计的粘附力测量装置,观测具有不同几何参数的微米阵列样本在不同条件下的粘附效果.主要比较了微米...
  • 作者: 姜洪源 杨胡坤 王扬
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  166-169
    摘要: 双电层是电渗流形成的关键因素,通过分析双电层的产生过程,解释了电渗流的形成机制.探讨了与直流电渗流形成相关的Poisson-Boltzmann 方程、Laplace方程及Navier-Sto...
  • 作者: 郑晓虎
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  170-173
    摘要: 突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术,对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论,分析了120~340 μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显...
  • 作者: 王晓霞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  174-178
    摘要: EFAB技术是微加工领域一项重大的突破,开辟了MEMS金属器件加工的新天地,与其他微加工技术相比,EFAB技术的主要优点是:可实现MEMS中复杂三维金属微结构器件快速、自动化、批量制造.基于...
  • 作者: 刘丹敏 吉元 夏洋 李志国 王晓冬 肖卫强 钟涛兴
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  179-182
    摘要: 采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应...
  • 13. 技术
    作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  183-184
    摘要:
  • 14. 产品
    作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  184-185
    摘要:
  • 15. 市场
    作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  185-186
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  封4
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  插1
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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