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微纳电子技术2008年第8期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究.介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5 mS/mm.2 GHz下测试,微波功率附加效率提高1...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3 mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 为更好地研究小富勒烯分子的形成机理和存在方式以及更好地了解它们的各种物理化学性质,利用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G*方法和基组水平下对分属D2h、C2h、C2、Ci和D3d对称群的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 阐述了表面活性剂分散机制及在纳米材料制备中的分散作用,介绍了以表面活性剂为基础的各种纳米材料制备方法的机理:如以表面活性剂形成的各种有序聚集体为模板的模板法、用表面活性剂稳定形成的微乳液为介...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC.在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了一种电容式微Si加速度计的基本结构以及静电激振法用于电容加速度计动态参数测试的基本原理.提出了在开环条件下,采用静电激振法对该类型电容加速度计动态参数测试的电路方案.通过分析获得了扫频...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 研究了空气阻尼对MEMS压阻加速度传感器性能的影响,建立了传感器动力学模型和空气阻尼模型,分析了空气间隙大小与传感器阻尼系数的相互关系,通过控制空气间隙可以达到控制加速度传感器阻尼的目的.根...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展.从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层.经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加...
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11. 双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺.在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 通过试验,分析并验证了半圆形半导体激光器阵列准直后光束指向发生偏移的原因,证明了烧结过程对准直光束指向性的影响.为避免烧结过程对准直工艺的影响,设计了一种的新的半圆形半导体激光器阵列的准直工...
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13. CMP中抛光垫的性质研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要： 以IC1000/Suba Ⅳ抛光垫为例,综述了影响抛光垫性能的各种因素,以文献相关数据为依据,着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响.从分析结果可以得出:IC1000/SubaⅣ比单层...
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14. 技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
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15. 产品刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
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16. 市场刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2008年8期页码:摘要：
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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