分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析

• 作者: 刘景民 李美成 熊敏 王禄 赵连城
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 InAs量子点 反射式高能电子衍射 实时原位 微结构分析
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 470-475,479
• 页数: 7页
• 分类号: TN405.984|O471.1
• 字数: 4492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.08.009

摘要

介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展.从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势.反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具.随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs量子点的制备及其应用.