GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究

• 作者: 吴益竹 张力江 王静辉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 选择腐蚀 赝配高电子迁移率晶体管 腐蚀终止层 砷化镓 凹槽
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 476-479
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3|TN305.7
• 字数: 1270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.08.010

摘要

基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层.经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺.利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性.本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王静辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	8	2.0	2.0
2	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
3	吴益竹	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0