等平面化SiC MESFET的研制

• 作者: 冯震 商庆杰 姚素英 李亮 杨克武 杨霏 潘宏菽 蔡树军 闫锐 陈昊 默江辉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 金属消特基势垒场效应晶体管 高增益 功率附加效率 大功率 等平面化 侧壁钝化
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 440-443,483
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3|TN304.24
• 字数: 2127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.08.002

摘要

在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5 mS/mm.2 GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2 dB,在VDS=60 V的条件下单管功率输出达到了86.5 W.经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250 W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5 dB的高增益,功率附加效率30%.台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓.